纳米氧化铝在陶瓷中各国应用专利

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1、纳米氧化铝在陶瓷中各国应用专利1.美国专利：USP20030433815AI2O3和ZrO2VK-R50的磨粒、方法及其生产和使用一种纳米氧化铝VK-L30和纳米氧化锆VK-R50基于磨粒含有一个简化形式，特别是钛化合物的氧化物和形式，有0.05%-1.0％重量的硅化合物的内容表示为纳米二氧化硅VK-SP30，还有重量50%-80％纳米氧化铝VK-L30的内容。融化了相应的磨料颗粒纳米氧化铝VK-L30和纳米氧化锆VK-R50组成的混合物需要获得相应的表示，纳米氧化铝VK-L30、纳米氧化锆VK-R50和纳米二氧化钛VK-T25的混合物，或含有的原料后者是

2、一个还原剂，本发明还涉及一种纳米氧化铝VK-L30和纳米氧化锆VK-R50用上述方法用于磨料中的生产和使用，可以大大提高磨料的性能。-这种性能要做为主要写。2.美国专利：USP19800167902Al2O3/ZrO2VK-R50复合陶瓷Al2O3/ZrO2的复合陶瓷使陶瓷的断裂韧性和强度增加，促使四方纳米氧化锆VK-R50Y3结构稳定。亚稳四方相纳米ZrO2VK-R50转变为一个稳定的结构，从而增加了其所需的能量，延缓裂纹传播。用体积5%至95％纳米氧化锆的陶瓷量，并把它溶解在稀土和氧化物中，如纳米氧化钇VK-Y01，纳米氧化铈VK-Ce01，纳米氧化镧

3、VK-La01或氧化铒中，大大促进四方相纳米氧化锆VK-R50Y3的稳定。3.美国专利：USP19950496936氧化锆VK-R50Y3含玻璃陶瓷一种纳米氧化锆VK-R50含玻璃陶瓷进行了描述，主要晶相的形成是由纳米氧化锆VK-R50，并且至少有一个再结晶阶段，特别是可以用在牙科里做成义齿。4.美国专利：USP19830540309氮化硅，纳米氧化硅，纳米氧化钇，纳米氧化锆VK-R50+纳米氧化镁和烧结体高致密性纳米氧化硅VK-SP30和氮化硅烧结体具有优良的机械强度，其中纳米氧化钇VK-R50Y1的重量计算为2%-15%，纳米氧化镁VK-Mg30按重量

4、计算为0.5％-15%，纳米氧化锆VK-R50按重量计算为0.5％-13%。将钇化合物，镁化合物和锆化合物作为烧助剂，在温度为1650℃常压下在氮气或惰性气体气氛里充分反应，将得到更富有纳米活性的烧结体。5.美国专利：USP20050268855电容器用氧化锆和相同的方法制作提供电容器和纳米氧化锆VK-R50同样的制备方法。Themethodincludes:formingastoragenodeformingamulti-layereddielectricstructureonthestoragenode,themulti-layereddielectr

5、icstructureincludingazirconiumoxide(ZrO2)layerandanaluminumoxide(Al2O3)layerandformingaplateelectrodeonthemulti-layereddielectricstructure该方法包括：形成一个存储节点或形成一个多层次的存储介质结构的节点和绝缘结构，包括一个纳米氧化锆VK-R50（氧化锆）层和纳米氧化铝VK-L30层，形成一个平板电极上的多层次的介质结构。6.高度可靠的无定形的高k栅氧化锆美国专利号：USP20040931356栅氧化层和编造栅氧化层产生一

6、个更可靠和更薄氧化物比传统纳米二氧化硅VK-SP30栅氧化层厚度更优的方法。栅氧化层形成了从内容，如纳米氧化锆VK-R50是热力学稳定，这样的纳米氧化物形成将与硅基底上，或在任何其他结构的高温处理后阶段起最小的反应。执行的过程表明在较低温度下比现有技术好，从而进一步抑制了硅衬底或其他结构的反应。用热蒸发技术沉积层被氧化，底层基板表面光滑保留，从而提供更好和更一致的栅氧化层中产生的电性能。7.高强度氧化锆陶瓷美国专利号：USP19870086388高强度纳米氧化锆VK-R50陶瓷的组成，基本上包括一个含有少于5％的纳米氧化钇锆VK-R50Y3作为稳定剂的化合

7、物，氧化锆陶瓷化合物作为稳定剂的还有纳米氧化铈VK-Ce02、纳米氧化钇VK-Y01、纳米氧化铝VK-L30和纳米氧化镁VK-Mg30等。加入不同量的稳定剂可获得相组成不同的氧化锆陶瓷,要实现相变增韧，获得高韧性、高耐磨性，,必须添加一定的稳定剂并适当控制烧结工艺,将高温稳定相-四方相亚稳至室温,获得室温下可相变的四方相,这就是稳定剂对纳米氧化锆VK-R50Y3的稳定作用。8.高韧性氧化锆烧结体，会产生同样的方法美国专利号：USP19880202668高韧性烧结体：纳米氧化锆VK-R50，纳米氧化钇VK-Y01和纳米氧化钕VK-Nd01含有作为稳定剂的晶体

8、结构。纳米氧化锆(ZrO2)是VK-R50Y320世纪70年代发展