第7章 金属和半导体接触.ppt

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1、第七章金属和半导体的接触17.1金属半导体接触及其能级图27.1.1金属和半导体的功函数金属功函数金属功函数随原子序数的递增呈现周期性变化。3半导体功函数电子亲和能故其中47.1.2接触电势差金属与n型半导体接触为例金属和半导体间距离D远大于原子间距随着D的减小，5若D小到可以与原子间距相比较若Wm>Ws，半导体表面形成正的空间电荷区，电场由体内指向表面，Vs<0，形成表面势垒（阻挡层）。若Wm0。形成高电导区（反阻挡层）。67.1.3表面态对接触电势的影响实验表明：不同金属的功函数虽然相差很大，但与半导体接触

2、时形成的势垒高度却相差很小。原因：半导体表面存在表面态。7表面态分为施主型和受主型。表面态在半导体表面禁带中呈现一定分布，表面处存在一个距离价带顶为qФ0的能级。电子正好填满qФ0以下所有的表面态时，表面呈电中性。若qФ0以下表面态为空，表面带正电，呈现施主型；qФ0以上表面态被电子填充，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体，qФ0越为禁带宽度的三分之一。8若n型半导体存在表面态，费米能级高于qФ0，表面态为受主型，表面处出现正的空间电荷区，形成电子势垒。势垒高度qVD恰好使表面态上的负电荷与势垒区的正电荷相等。9高表面态密度钉扎（pinned）存在表面态即使不与金属接

3、触，表面也形成势垒。当半导体的表面态密度很高时，可以屏蔽金属接触的影响，使半导体内的势垒高度和金属的功函数几乎无关，有半导体表面性质决定。107.2金属半导体接触整流理论117.2.1扩散理论当势垒宽度大于电子的平均自由程，电子通过势垒要经过多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。（耗尽层近似）泊松方程12边界条件可得13外加电压于金属，则可得势垒宽度14电流密度方程代入爱因斯坦关系，并整理得15在x=0到x=xd对上式积分，求解可得当V>0时，若qV>>k0T，则16当V<0时，若

4、qV

5、>>k0T，则该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。177.2.2

6、热电子发射理论当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度。起作用的是势垒高度而不是势垒宽度。电流的计算归结为超越势垒的载流子数目。假定，由于越过势垒的电子数只占半导体总电子数很少一部分，故半导体内的电子浓度可以视为常数。讨论非简并半导体的情况。18半导体单位体积能量在E~E+dE范围内的电子数19若v为电子运动的速率，则带入上式，并利用20可得单位体积内，速率vx~vx+dvx，vy~vy+dvy，vz~vz+dvz范围内的电子数21显然单位面积而言，大小为vx的体积内，上述速度范围的电子都可以达到金属和半导体界面。达到界面的电子要越过势垒，必须满足22所需要的x方向的

7、最小速度若规定电流的正方向是从金属到半导体，则从半导体到金属的电子流所形成的电流密度为23其中理查逊常数电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压而变化，所以为常量，与热平衡条件下，即V=0时的Js-m大小相等，方向相反。24总电流密度25Ge、Si、GaAs有较高的载流子迁移率，有较大的平均自由程，因此在室温下主要是多数载流子的热电子发射。267.2.4肖特基势垒二极管与pn结的相同点：单向导电性。与pn结的不同点：pn结正向电流为非平衡少子扩散形成的电流,有显著的电荷存储效应；肖特基势垒二极管的正向电流主要是半导体多数载流子进入金属形成的，是多子器件，无积累，因此高

8、频特性更好；27肖特基二极管JsD和JsT比pn结反向饱和电流Js大得多。因此肖特基二极管由较低的正向导通电压。用途：钳位二极管(提高电路速度)等。287.3少数载流子的注入和欧姆接触297.3.1少数载流子的注入n型阻挡层，体内电子浓度为n0，接触面处的电子浓度是电子的阻挡层就是空穴积累层。在势垒区，空穴的浓度在表面处最大。体内空穴浓度为p0，则表面浓度为30加正压时，势垒降低，形成自外向内的空穴流，形成的电流与电子电流方向一致。空穴电流大小，取决于阻挡层的空穴浓度。31平衡时，如果接触面处有此时若有外加电压，p(0)将超过n0，则空穴电流的贡献就很重要了。加正向电压时，

9、少数载流子电流与总电流值比称为少数载流子的注入比，用γ表示。32加正电压时，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡值，而空穴在阻挡层内界形成积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。因为平衡值p0很小，所以相对的增加就很显著。33对n型阻挡层而言347.3.2欧姆接触定义不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的变化。实现反阻挡层没有整流作用，但由于常见半导体材料一般都有很高的表面态密度，因此很难用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。35隧道效应：重掺杂的半导体与金属接触时，则势垒宽度变得很薄，