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时间:2021-04-16
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1、半导体器件1.1半导体器件的基本知识1.1.1本征半导体及其导电性1.1.2杂质半导体1.1.3半导体中载流子运动和温度特性根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。半导体的电阻率为10-3~109cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。1.1.1本征半导体及其导电性(1)本征半导体的共价键结构(2)电子空穴对(3)空穴的移动本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。(3)空穴的移动自由电子的定向运动形成了电子电流,
2、空穴的定向运动也可形成空穴电流,它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。1.1.2杂质半导体(1)N型半导体(2)P型半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。(1)N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,可形成N型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键,而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主
3、要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图01.04所示。图01.04N型半导体结构示意图(2)P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓、铟等形成了P型半导体,也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时,缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。P型半导体中空穴是多数载流子,主要由掺杂形成;电子是少数载流子,由热激发形成。空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。P型半导体的结构示意图如图01
4、.05所示。图01.05P型半导体的结构示意图图01.05P型半导体的结构示意图漂移运动:两种载流子(电子和空穴)在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。扩散运动:由于载流子浓度的差异,而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散,产生扩散运动。1.1.3半导体的载流子运动和温度特性一、载流子的运动二、杂质对半导体导电性的影响掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.4×1010/cm31本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm33以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。2
5、掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/cm31.1.4PN结一、PN结的形成二、PN结的单向导电性三、PN结的电容效应四、PN结的击穿特性一、PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗
6、尽层。图01.06PN结的形成过程PN结形成的过程可参阅图01.06。二、PN结的单向导电性如果外加电压使PN结中:P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;PN结具有单向导电性,若外加电压使电流从P区流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大;反之是高阻性,电流小。P区的电位低于N区的电位,称为加反向电压,简称反偏。(1)PN结加正向电压时的导电情况外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。PN结加
7、正向电压时的导电情况如图01.07所示。图01.07PN结加正向电压时的导电情况(2)PN结加反向电压时的导电情况外加的反向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。PN结加反向电压时的导电情况如图01.08所示。图01.08PN结加反向电压时
8、的导电情况PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;
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