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时间:2020-12-19
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1、精品好文档,推荐学习交流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道,晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。 在
2、晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电
3、感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时,避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。 由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢3精品好文档,推荐学习交流二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择 电容的选择: C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采
4、用500A的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF,1kv的电容器 电阻的选择: R=((2-4)×535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值If----正向电流PR----电阻功率PfV---额定功率fc---不是符号!是f*c,就是频率*容值!阻容吸收回路在实际应用中,RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆1W,C=0.01微法4
5、00~630V。大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆10W,C=1微法630~1000V。R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅和阻尼吸收列入大功率范畴。仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢3精品好文档,推荐学习交流《人的认识从何而来》公开课教案★新课标要求(一)知识目标1、识记实践的含义、构成要素、特点。2、理解实践是认识的基础。(二)能力目标培养学生科学的实践观,以及运
6、用马克思主义认识论原理分析和解决问题的能力。(三)情感、态度与价值观目标培养学生实践第一的观点,一切知识来源于实践,一切知识都要服务于实践。★教学重点、难点实践是认识的基础。★教学方法教师启发、引导,学生自主阅读、思考,讨论、交流学习成果。★教学过程(一)引入新课老者观点:不会耕田,怎么下田。农夫观点:不让下田,怎会耕田?你赞同谁的观点,者说明了什么?——认识从实践中来(二)进行新课一、实践及其特点教师活动:实践的含义是什么?学生活动:阅读课本,回答问题。1、实践的含义实践是人们改造客观世界的一切物质性活动。它有两层基本的含义:其一,凡是实践,都是以人为主体、以客观事物为对象的物质性活动
7、。其二,实践是一种直接现实性活动,它可以把人们头脑中的观念的存在变为现实的存在。练习:判断:下列哪些属于实践活动?2、教师总结:实践的三种基本形式有生产实践、社会实践、科学实验。合作探究一仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢3
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