三极管主要的参数.docx

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1、三极管主要参数：1电流放大系数⑴直流电流放大系数⑵交流电流放大系数⑶共基极电流放大系数2频率特性参数⑴共基极截止频率fa⑵共发射极截止频率fb⑶特性频率ft⑷最高振荡频率fm3极间反向电流⑴集电极－基极反向截止电流ICEO⑵集电极－发射极反向截止电流ICBO4极限参数⑴集电极－发射极反向击穿电压V（BR）CEO（BVCEO）⑵集电极－基极反向击穿电压V（BR）CBO（BVCBO）⑶发射极－基极反向击穿电压V（BR）EBO（BVEBO）⑷集电极最大允许电流ICM⑸集电极最大允许耗散功率PCM晶体三极管的种类1硅

2、管和锗管（按半导体材料分）锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。硅三极管比锗管反向漏电流小，输出特性平直、耐压比较高，温度特性较好。常用型号有：

3、3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列硅低频管等。2高频管和低频管（按特征频率分）特征频率fT小于3MHz的为低频管；大于3MHz的为高频管。目前多用硅材料制成三极管，特征频率一般都大于3MHz，因此高频管和低频管的界线已不那么明显。3高、低频小功率管高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz，功率小于1W的晶体三极管。主要使用于工作频率比较高，功率不高于1W的放大电路，高频振荡电路。比如在晶体管收录机、收音机、电视机的

4、高频电路中，可选用高频小功率管。如3CG3A—E，3DG6A－D。低频小功率三极管一般指功率小于1W，特征频率小于3MHz的三极管。主要用于电子设备的功率放大电路、低频放大电路。低功率放大电路用的小功率管一般工作在小信号状态，这样三极管的放大特性近于线性，将三极管等效为线性器件。如3AX81A,3AX31,3BX31,DX601等。型号PCM(mW)fT（MHz）ICM(mA)V(BR)CBO(V)V(BR)CEO(V)ICEO(uA)hFEVBES(V)外形结构minmax3CG14100100~20040

5、15~3030200TO92PNP3CG15200100~200501.5~2.515~250.1252701TO92PNP3CG213001005015~5530200TO92PNP3CG5625005004055400TO92PNP3CG6082001501003040270TO92PNP3CG6734005003555400TO92PNP3CG7332501501005055400TO92PNP型号PCM(W)fT（MHz）ICM(A)V(BR)CBO(V)V(BR)CEO(V)ICEO(mA)VCES

6、(V)hFE外形类似型号MinMax3DD70A~G100930~23053.520F-23DD83DD172A~G20012080~60050~40031.815G-4型号PCM(mW)fT(MHz)ICM(mA)V(BR)CBO(V)V(BR)CEO(V)ICEO(uA)hFEVBES(V)外形结构3DG12A~D500150~30010040~6030~450.5401800.6B-3/TO92NPN型号极性PCM(mW)ICM(mA)V(BR)CEO(V)V(BR)EBO(V)ICBO(uA)ICEO

7、(uA)VCE(sat)hFEfT(MHz)封装形式9012PNP400500253.00.50.51.064~202TO-929013NPN400500253.00.50.51.064~202TO-924高、低频大功率管高频大功率管适用于功率放大、开关电路、稳压电路以及无线电通信、无线电广播、电视发送设备的放大电路、功率驱动电路等。如：3CD30A~E3DC020A~D3DD123DD1003DD2053DD301A~D等低频大功率类型比较多，用途比较广泛。在录音机、电视机、CD唱机、扩音机等音响设备的低频

8、功率放大电路中，可选用低频大功率管作功放管，已提供扬声器足够的音频功率。在稳压电源电路、开关电路中，也可选用它作调整管和低速大功率开关管使用。如3DD102D3DD15E3CG170D等。5超高频低噪声管一般用于超高频、高频放大电路，振荡和混频电路。具有正自动增益的管科用于电视机的前级中放，微波的噪声管科用于微波通信设备坐小信号放大。6开关三极管在开关电路中，用来控制电路的开启和关闭，由加在开关管基