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时间:2020-10-04
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1、第8章半导体存储器和可编程逻辑器件本章课时:5学时1第8章半导体存储器和可编程逻辑器件2目录8.1概述8.2半导体存储器8.2.1存储器的主要技术指标8.2.2随机存取存储器8.2.3只读存储器8.2.4存储器扩展8.2.5综合应用第8章半导体存储器和可编程逻辑器件3目录8.3可编程逻辑器件8.3.1低密度PLD8.3.2高密度PLD8.3.3PLD设计流程第8章半导体存储器和可编程逻辑器件4作业8-3,8-8,8-9,8-13,1K8改为2K8第8章半导体存储器和可编程逻辑器件58.1概述随着集成电路设计和制造工艺的不断改进和完善,集成电路产品不仅在提高开关速度、降低功耗等方面有了
2、很大的发展,电路的集成度也得到了迅速的提高,大规模集成电路LSI和超大规模集成电路VLSI已得到了广泛的应用。在分析和设计逻辑系统时,应把LSI和VLSI作为一个功能模块来进行使用。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件6LSI分为通用型和专用型两大类。通用型LSI是指已被定型的标准化、系列化产品。各种型号的存储器、微处理器等均属此类。专用型LSI是指为某种特殊用途而专门设计制作的功能块,只能使用在一些专用场所或设备中。本章仅简要介绍存储器和可编程逻辑器件。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件78.2半导体存储器半导体存储器(简称存储器)是一种能存储大量二值信息或数据的半导体器件。它可以存储用
3、户程序以及实时数据等多种信息。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件8存储器分类按读写功能分为:只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)和随机存储器(RandomAccessMemory,RAM)。按在计算机系统中的作用分为:主存储器(内存)、辅助存储器(外存)和高速缓冲存储器。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件9按信息的可保存性分为:易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息,它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的RAM都属于此类。非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息,如ROM半导体存储器、磁介质或光介质存储器。第8章半导体存储器和
4、可编程逻辑器件10半导体存储器按读写功能分类时的详细情况如下图所示:半导体存储器ROM固定ROM(又称掩膜ROM)可编程ROM可编程ROM(PROM)可擦除PROM(EPROM)电子可擦除EPROM(E2PROM)快闪存储器RAM静态RAM(SRAM)动态RAM(DRAM)第8章半导体存储器和可编程逻辑器件11对存储器的操作(也称为访问)通常分为两类:读操作和写操作。读操作是从存储器中取出其存储信息的过程;写操作是把信息存入到存储器的过程。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件128.2.1存储器的主要技术指标存储器的技术指标包括存储容量、存取速度、可靠性、功耗、工作温度范围和体积等。其中存
5、储容量和存取速度为其主要指标。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件131.存储容量1.存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量,单位为位或比特(bit)。存储器中的一个基本存储单元能存储1bit的信息,也就是可以存入一个0或一个1,所以存储容量就是该存储器基本存储单元的总数。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件14一个内有8192个基本存储单元的存储器,其存储容量为8Kbit(1K=210=1024);这个存储器如果每次可以读(写)8位二值码,说明它可以存储1K个字,每字为8位,这时的存储容量也可以用1K8位来表示。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件152.存取速度存储器的存取时间定义为存
6、储器从接收存储单元地址码开始,到取出或存入数据为止所需的时间,其上限值称为最大存取时间。存取时间的大小反映了存储速度的快慢。存取时间越短,则存取速度越快。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件168.2.2随机存取存储器随机存取存储器RAM,又称为读写存储器。在工作过程中,既可从RAM的任意单元读出信息,又可以把外部信息写入任意单元。因此,它具有读、写方便的优点,但由于具有易失性,所以不利于数据的长期保存。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件17根据存储单元工作原理的不同,RAM可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM两大类。SRAM的数据由触发器记忆,只要不断电,数据就能保存,但
7、其集成度受到限制。DRAM一般采用MOS管的栅极电容来存储信息,必须由刷新电路定期刷新,但集成度高。SRAM速度非常快,但其价格较贵。DRAM的速度比SRAM慢,不过它比ROM快。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件181.RAM的结构RAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路3部分组成,其结构框图如图所示。第8章半导体存储器和可编程逻辑器件19存储矩阵由若干个存储单元组成。在译码器和读/写控制电路的控制下,既可以对存储单元
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