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1、第10卷第4期功能材料与器件学报VOI.10,NO.42004年12月JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICESDec.,2004文章编号:1007-4252(2004)04-0432-05光通信用厚膜SOI材料的制备与研究程新利1,2,林志浪1,王永进1,肖海波1,张峰1,邹世昌1(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;2.中国科学院研究生院,北京100039)摘要:利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。采用SeccO液腐蚀、椭圆偏振仪(SE)、扩展电阻(SRP)等技术对材料的性能进行了表征
2、,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因。外延层电阻率纵向分布均匀,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整。用制备的厚膜SOI材料制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验,得到了传输损耗为0.4dB/cm的波导结构。关键词:厚膜SOI材料;缺陷;光波导中图分类号:O782+.9文献标识码:APreparationandinvestigationofthickSOIfilmsappliedtophoto-communication1,2,LINZhi-Iang1,WANGYOng-jin1,CHENGXin-Ii1,ZHANGFeng1,ZOUShi-chang1X
3、IAOHai-bO(1.ShanghaiInstituteOfMicrOsystemandInfOrmatiOnTechnOIOgy,ChineseAcademyOfSciences,Shanghai200050,China;2.GraduateSchOOIOftheChineseAcademyOfSciences,Beijing100039,China)Abstract:ThethickSOIfiImswerepreparedbySIMOXtechnOIOgyandSiepitaxyprOcess.ThethickSOImateriaIswerecharact
4、erizedbySeccOetching,SEandSRP.ThedisIOcatiOnsandstackingfauItsinepitaxiaISiIayermainIyresuItfrOmthedisIOcatiOnsintheSIMOXSOIsubstrateandtherOughnessOfthesubstratesurface.TheguaIityOfSOIsubstrateaffectsepitaxiaISiIayergreatIy.TheresistivityOfepitaxiaIIayerisunifOrm.Theribwaveguidewasf
5、abricatedOnthethickSOImateriaI.LightcantransmitinthewaveguidesuccessfuIIyandtheIOssis0.4dB/cm.Keywords:thickSOImateriaI;defect;OpticaIwaveguide1引言实现了全介质隔离,具有优良的抗辐照能力,这是体微电子技术的发展促进了对高性能半导体材料硅无法比拟的。SOI器件可以在航空航天及辐照等恶劣环境下正常工作,而且还能在300O的研究,SO(ISiIicOnOnInsuIatOr)材料由于自身的结C高温下工构特点,受到了广泛的重视,
6、用其做成的器件具有很作,这对于在高温下工作的汽车和航空航天通信电[1]多优点。SOI器件将电路做在绝缘层上的薄硅膜内,路来说是极其重要的。另外SOI材料顶层硅对光收稿日期:2004-03-09;修订日期:2004-05-31基金项目:863计划(NO.2001AA312070)作者简介:程新利(1976-),男,博士生(E-maiI:chengxinIi@hOtmaiI.cOm).4期程新利等:光通信用厚膜SOI材料的制备与研究433通信用波长(1.30!m和1.55!m)几乎是透明的,用HCI腐蚀1min进行抛光,沉积速率0.7-0.8!/来作为光波导层,材料
7、自身的吸收损耗很小,顶层硅min,沉积时间10min,沉积时掺杂源用P2H6。SOI衬和埋层SiO折射率相差较大,可以对光波起很好的底表层硅缺陷利用改进SeccO液腐蚀[6]2,然后用稀释限制作用,减少光波的泄漏,因而SOI材料可以作为HF缀饰,外延层表面缺陷利用SeccO液腐蚀,用显良好的光波导材料。利用SOI材料作光波导器件的微镜观察计算两者缺陷密度。外延后样品厚度和折工作已经展开[2-4]。用SOI材料制作波导器件的工射率用V-VASEwithAutORetarder型椭圆偏振仪艺与集成电路工艺是兼容的,容易实现SOI平面光(SE)测量,SIMOXSOI衬
8、底表面用原子力显微镜波导
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