电力电子课后作业.doc

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1、填空题电力电子技术包括电力电子器件、电力电子电路和控制技术3个部分。现代电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件三类。电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三种。晶闸管的外形大致有塑封形、平板型和螺栓形三种。晶闸管额定电流与有效值电流的关系IT=1.57IT(AV)。双向晶闸管的门极控制方式有两种：移向触发和过零触发。2.判断题（×）1）普通晶闸管内部有两个PN结。（×）2）普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。（√）3）型号为KP50-7的半导体器件，是一额定电流为50A的普通晶闸管。（×）4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为

2、零，晶闸管就会关断。（×）5）只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（×）6）晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管就会导通。（×）7）加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。3.选择题1）在型号KP100-10G中，数字10表示（C）。A、额定电压为10VB、额定电流为10AC、额定电压为1000VD、额定电流为100A2)晶闸管内部有（C）PN结。A、1个B、2个C、3个D、4个3）晶闸管的3个引出电极分别是（B）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极4）普通晶闸管的额定通态电流是用（A）表示。A、流过晶闸

3、管的平均电流B、直流输出平均电流C、整流输出电流有效值D、交流有效值5）当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（B）A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定6）处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作（C）处理才能使其开通。A、并联一电容B、串联一电感C、加正向触发电压D、加反向触发电压7）在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（A）A、阳极电流B、门极电流C、阳极电流与门极电流之差D、阳极电流与门极电流之和填空题典型的全控型器件主要有门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管和绝缘栅双

4、型晶体管四种。某半导体器件的型号为KP50-7，其中KP表示该器件的名称为反向阻断晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压700V。GTO的门极控制增益β的表示方法：β=IATO

5、1-IGM

6、。电力MOSFET的基本特性有转移特性、开关特性和输出特性三种。2.选择题1）功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（B）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截至2）电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（A）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率3）在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（D）状态。A、放大B、截止C、饱和D、开关4）电

7、力晶体管在使用时，要防止（A）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（D）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频6）电力场效应晶体管（电力MOSFET）（B）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿7）用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时,若其正、反向电阻都很小，说明两极之间（B）。A、开路B、短路C、接线错误D、测量方法错误8）具有自关断能力的电力半导体器件称为（A）。A、全控型器件B、半控器件C、不控型器件D、触发型器件9）IGBT的3个引出电极分别是（D）.A、阳极

8、、阴极、门极B、阳极、阴极栅极C、栅极、源极漏极D、发射极、栅极、集电极1填空题1）驱动电路的基本任务是就是将信息按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，并使其导通或关断的2）电力电子器件的驱动电路分为电流驱动型和电压驱动型。3）在驱动电路中采用的隔离环节一般是光隔离和磁隔离。4）磁隔离的器件通常是脉冲变压器，当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用高频调制和解调的方法。2.选择题1）对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（A）。A、导通B、寿命C、关断D、饱和2）驱动电路是电力电子器件主电路与（C）电路之间的

9、接口。A、缓冲电路B、保护电路C、控制电路D、滤波电路3）功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（C）。A、变流驱动B、变压驱动C、比例驱动D、补偿驱动填空题电力电子器件的保护分为过压保护和过流保护两类。过电压主要表现为开关的开闭引起的冲击电压和雷击或其它的外来冲击电压两种类型。电力电子器件的缓冲电路有耗能型和馈能式两类。耗能式缓冲电路有关断缓冲电路、导通缓冲电路和复合缓冲电路三种。在晶体管的并联使用中要采取的均流措施是串联电阻法和串联电感法两种。为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个