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1、作业11.1指出常用器件可达的功率与频率能力SCR,GTO,IGBT,MOSFET,功率能力:SCR(10MW)>GTO(MW)>IGBT(百KW)>MOSFET(10KW)频率能力:MOSFT(百KHz)>IGBT(10KHz)>GTO(1KHz)>SCR(几百Hz)1.2一SCR需承受电流平均值100A,电压峰值300V,选择其电流电压定额电压定额UTIT(AV)：2*300V=600V电流定额IT(AV)：1.5*100A=150A1.3简述SCR正常导通条件,非正常导通条件正压,门极触发;过压,过电
2、压上升率,过温1,4简述变流器件常用工作状态与损耗种类.工作状态：通态、断态、开关状态损耗种类：稳态损耗：通态损耗、断态损耗动态损耗：开通损耗、关断损耗作业22.1简述器件驱动信号基本要求足够的幅度、陡度、宽度及良好的可靠性、抗扰性、电气隔离性。2.2简述MOSFET、IGBT常用开通与关断正压.MOSFET常用开通电压为10~15V,关断电压为-5~-15VIGBT常用开通电压为15~20v，关断电压为-5~-15V2.3SCR器件串联并联有何作用,有何问题,如何解决增大电压电流容量;均压均流;选择件同参
3、,并均压电阻,串均流电抗2.4简述变流设备常用过压过流保护装置、元件。过压保护装置、元件：避雷器、缓冲电路、RC过电压抑制电路、反阻断式RC电路、雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管等。过流保护装置、元件：快速熔断器、直流快速断路器、过电流继电器思考判断题1开关器件主要工作在开关状态,关断比导通容易(-),断态损耗比通态损耗大(-).高频时开关损耗比通态损耗大(+).按容量能力是SCR>FET>IGBT（-）;按频率能力比较是SCR4、T为电压驱动(+).器件串联目的是增大电压容量(+),问题是均流(-)。晶闸管正常导通条件是：正压（+）、阳极加触发（-）、阳极电流足够小（-），导通后不再需要触发(+)。过热会误导通(+),不过压不过热则不会误导通(-)保护开关器件常串联RC(D)电路用于开关缓冲(-)线路并压敏电阻可防变流设备过流（-）;线路串熔断器可防过压（-）。作业33.1单相全控桥:U2=220V,R=5Ω,a=60°(1)画ud,id,i2；计算Ud，IdUd=0.9U2[cosα+1]/2=0.9*220*(cos60°+1)
5、/2=148.5VId=Ud/R=148.5V/5Ω=29.7A(2)加串大L,画ud,id,i2；计算Ud，Id，I2。Ud=0.9*220cosα=0.9*220*cos60°=99V;Id=Ud/R=99V/5Ω=19.8A(3)接（2）：Idm=50A,选管电压电流定额。电流定额IT(AV)=1.5*Idm/2=1.5*50/2A=37.5A电压定额UT=2*√2*U2=2*1.414*220=622.16V;(1)(2)3.2三相全控桥U2=110V,L极大,Rx=0.1Ω,R=0.5Ω(1)画等
6、效电路(2)α=60°,反电势Em=100V,求:(a)Id,Ud,γ*;输出功率P;功率因数.(b)画ud,idUdα=2.34*U2cosα=2.34*110*cos60°=128.7V;Id=(Udα-Em)/(Rx+R)=(128.7-100)/(0.1+0.5)A=47.8AUd=Udα-Rx*Id=(128.7-0.1*47.8)V=123.9V,P=Ud*Id=123.9*47.8=5.92KW;λ=0.955cosα=0.955*cos60°=0.4775(3)α=120°,反电势Em=-1
7、40V,求:(a)Id,Ud,γ*;输出P,功率因数λ;(b)画ud,idUdα=2.34*U2cosα=2.34*110*cos120°=-128.7V;Id=(Udα-Em)/(Rx+R)=(-128.7-(-140))/(0.1+0.5)A=18.8AUd=Udα-Rx*Id=(-128.7-0.1*18.8)V=-130.6V,P=Ud*Id=-130.6*18.8=-2.5KW;λ=0.955cosα=0.955*cos120°=-0.4775(4)Idm=100A,选管电压电流定额电流定额IT(
8、AV)=1.5*Idm/3=1.5*100/3A=50A电压定额UT=2*√6*U2=2*2.449*110=538.78V;整流电路测试题◇整流电路控制角α越小则Ud越高(+);α越近90°功率因数越高(-)。Ud数值越高,功率因数越低(-).◇负载串电感可减小电流脉动(+),输出电压会升高(-).◇整流器RLE负载时Ud=Udmcosα(-),α有效范围为0—90度(-).◇整流器电流断续时,则输出电压Ud降
