模拟电子技术基础总结.doc

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1、protel是一套完整的电路设计软件包，涵盖原理图设计，元件库设计，pcb设计，以及相关的工业文件。Protel屮keyoiulayer限制板的大小，就是说在画图时首先要在keyoutlayeriHlj个框，然麻元件什么的都画在里头，可以先画大点，最后再调整一下。multisim是个电路仿真工具，protel主要是绘制PCB的软件，也有仿真功能！现代通信原理讲的是:主要讲的是信息的传输与交换。从信源开始，信源、信道的编码与解码，调制与解调，同步以及复用等相关理论知识LED显示器与LCD显示器相比，LED在亮度、功

2、耗、可视角度和刷新速率等方面，都更具优势已取消到该网页的导航。利用LED技术，可以制造出比LCD更薄、更亮、史清晰的显示器。提问者采纳电子技术分模拟技术和数字技术，他们的基础就是入门时所要学习的东西。模拟电了技术基础主要讲二极管，三极管，场效应管，运算放大器，这些独立或者集成器件构建的电路，他们的功能和应用基础，例如二极管的开关屯路，稳压电路，三极管的小信号放大电路，场效应管的功放电路等等。数字电子技术基础主要讲的一些逻辑电路，就是由1和0（有的还是10・1或者1・1）的屯路信号构成的电路的基础。例如门电路，触发

3、器，门阵列，编码基础，进制之间的换算，后面还会讲到AD/DA就是模/数转换和数/模转换电路。他们都是电了技术基础。地一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1.本征半导体•单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和错（Ge）（图1・2）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物神化傢GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。•纯净（纯度＞7N）且具有完整晶体结构的半导体称为木征半导体。在一定的温度下，木征半导体内的最重要的物理现彖是木征激发（又称热激发或产生）（图1・3）。木征激发产生两种带电性质

4、相反的载流了一一自由电了和空穴对。温度越高，木征激发越强。•空穴是半导体中的一种等效+9载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格屮的空位，使局部显示电荷的空位宏观定向运动（图1・4）。•在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对白由电子和空穴消失的现象称为载流了复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流了处于平衡状态。2・杂质半导体•在木征硅（或错）屮渗入微量5价（或3价）元素麻形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5,P型：图l-6）o•在很低的温度下，N型（P型）半导体屮的杂质会

5、全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。•由于杂质电离，使N型半导体屮的多子是白由电子，少子是空穴，而P型半导体屮的多了是空穴，少了是自由电了。•在常温下，多子＞＞少了（图1-7）0多了浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。•在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。3.半导体中的两种电流在半导体屮存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。4.PN结•在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一

6、个特殊的薄层——PN结（图l-8）o•PN结是非屮性区（称空间电荷区），存在由N区指向P区的内建电场和内建电压;PN结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。•正偏PN结（P区外接高于N区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN结（P区外接低于N区的电压），在使PN结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流厶。即PN结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。・PN结的伏安方程为:心厶（/吟_1）,其中,在T=300K时，热电压吟26mVo•非对称PN

7、结有严N结（P区高掺杂）和结（N区高掺杂），PN结主要向低掺杂区域延伸（图l-9）o二、二极管知识•普通二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极（图1・13）。•在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0.3V；反偏时截止，但Ge管的反向饱和电流比Si管大得多（图l-15）o•低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其肓流电阻。二极管交流电阻G定义:・稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工作。二极管

8、交流电阻％估算：LUd•二极管的低频小信号模熨就是交流电阻卩，它反映了在工作点Q处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。•二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似（图1-20）。三、二极管应用1.单向导电特性应用•整流器：半波整流（图1-28）,全波整流（图P1-8a）,桥式整流（图Pl-8b）•限幅器：顶部限幅，底部限幅，双向限幅