模拟电子技术基础总结与模拟电子技术基础章节总结汇编.doc

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1、模拟电子技术基础总结与模拟电子技术基础章节总结汇编模拟电子技术基础总结1=vbe

2、5mV时，BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大。•BJT混合小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28），模型中有七个参数：基本参数:基区体电阻rbb,由厂家提供、髙频管的rbb比低频管小rbeVTIEre基区复合电阻rbe：估算式：，re发射结交流电阻跨导gm：估算gmIC/VT38.5IC（ms）,rbe,gm关系：rbegm基调效应参数rce：估算rceVA/IC,VA厄利电压rbc：估算rbcrce300Klgmre以上参数满足：rbcrcerbe髙频参数：集

3、电结电容Cbc：由厂家给出；Cbegm2fTCbc发射结电容Cbe：估算*•最常用的BJT模型是低频简化模型（1）电压控制电流源（icgmvbe）模型（图2-23）（2）电流控制电流源（icib）模型（图2-24,常用），其中rberbbrbe5篇二：模电总结复习-模拟电子技术基础。模电复习资料第一章半导体二极管一•半导体的基础知识1.半导体一导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。2•特性一光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体一纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子一带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体一在本征半导体

4、中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*p型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度一多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻一通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型一通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。3.PN结*PN结的接触电位差--硅材料约为0.6〜0・8V,错材料约为0.2〜0・3V。*PN结的单向导电性一正偏导通，反偏截止。4.PN结的伏安特性二•半导体二极管*单

5、向导电性--正向导通，反向截止。*二极管伏安特性一同PN结。*正向导通压降一硅管0.6〜0・7V,猪管0・2〜0・3V。*死区电压一硅管0.5V,错管0.lVo3.分析方法一将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）o1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段一将二极管断开，分析二极管两端电位的髙低:若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型微变等效电路法三•稳压二极管及其稳压电路*稳压二极

6、管的特性--正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一•三极管的结构、类型及特点1.类型一分为NPN和PNP两种。2•特点一基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很髙，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件式子3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线一同二极管。称为穿透电流。*输出特性曲线（饱和管压降，用UCES表示放大区一发射结正偏，集电结反偏。截止区一发射结反偏，集电结反

7、偏。4•温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及三•低频小信号等效模型(简化)hie—输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe--输出端交流短路时的正向电流传输比，常用P表示；四•基本放大电路组成及其原则l.VT、VCC、Rb、Rc、Cl、C2的作用。2•组成原则一能放大、不失真、能传输。五•放大电路的图解分析法1•直流通路与静态分析*概念一直流电流通的回路。*画法一电容视为开路。*作用一确定静态工作点*直流负载线一由VCC二ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1)改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动

8、。2)改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3)改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念一交流电流流通的回路*画法一电容视为短路，理想直流电压源视为短路。*作用--分析信号被放大的过程。*交流负载线一连接Q点和VCC'点VCC'二UCEQ+ICQRL'的直线。3.静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因--Q点设置过低*失真现象--NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法一减小Rb,提高Q。(2)饱和失真*产生原因--Q点设置过高*失真现象--NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法--增大Rb、减小Rc、增大VCC