河北省邯郸市永年区第二中学2020届高三化学9月月考试题（含解析）.doc

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1、河北省邯郸市永年区第二中学2020届高三化学9月月考试题（含解析）可能用到的相对原子质量：H－1B－11C－12N－14O－16Si－28P－31S－32Cl—35.5Ar－20Br－80Na－23Mg－24Al－27Ca－40Fe－56Cu－64Zn－65Ag－108Ba－137一、选择题（本题共18道小题，每小题3分，共54分）1.中国古代四大发明是：造纸术、指南针、火药、活字印刷术。来自“一带一路”沿线的20国青年评选出了中国的“新四大发明”：网购、支付宝、中国高铁、共享单车。“新四大发明”中与化学关系最密切的一项是A.网购B.支付宝C.中国高铁D.共享单车【答

2、案】C【解析】高铁需要化学方法制取的新材料的支撑，所以“新四大发明”中与化学关系最密切的一项是中国高铁，故选C。2.国产自主研发芯片麒麟970是全球首款内置神经网络单元的处理器，该处理器芯片中使用的材料是A.硅B.钛合金C.二氧化硅D.铅合金【答案】A【解析】Si常用作半导体，应用于芯片、太阳能电池中，故选A。3.纯碱在玻璃、肥皂、造纸、食品等工业中有广泛的应用，纯碱属于A.酸B.碱C.盐D.氧化物【答案】C【解析】纯碱是碳酸钠，由钠离子与碳酸根离子组成，属于盐，答案选C。4.在沸水中逐滴加入5～6滴FeCl3饱和溶液，继续煮沸至溶液呈红褐色。下列说法正确的是A.用激

3、光笔照射，会出现丁达尔效应B.将液体静置片刻，会出现沉淀现象C.所得胶体中分散质的粒子直径大于100nmD.可用滤纸分离提纯得到氢氧化铁胶体【答案】A【解析】在沸水中逐滴加入5～6滴FeCl3饱和溶液，继续煮沸至溶液呈红褐色即得到氢氧化铁胶体。A.用激光笔照射，会出现丁达尔效应，A正确；B.胶体是介稳体系，将液体静置片刻，不会出现沉淀现象，B错误；C.所得胶体中分散质的粒子直径介于1nm与100nm之间，C错误；D.胶体可以透过滤纸，不能用滤纸分离提纯得到氢氧化铁胶体，应该用渗析，D错误，答案选A。5.下列解释事实的方程式不正确的是A.焊接铁轨：2Fe+Al2O32A

4、l+Fe2O3B.人工固氮：N2+3H22NH3C.用纯碱除油污：CO32-+H2OHCO3-+OH-D.用湿润的淀粉KI试纸检验Cl2：Cl2+2I-=2Cl-+I2【答案】A【解析】A.焊接铁轨，发生铝热反应：2Al+Fe2O32Fe+Al2O3，故A不正确；B.人工固氮：N2+3H22NH3，故B正确；C.用纯碱除油污利用的是碳酸钠水解产生的氢氧化钠：CO32-+H2OHCO3-+OH-，故C正确；D.用湿润的淀粉KI试纸检验Cl2，碘化钾被氯气氧化成的碘单质遇淀粉变蓝：Cl2+2I-=2Cl-+I2，故D正确。故选A。6.下列反应的现象描述与离子方程式都正确的

5、是(　　)A.金属镁与稀盐酸反应：有气泡逸出Mg＋2H＋＋2Cl－===MgCl2＋H2↑B.氯化钡溶液与稀硫酸反应：有白色沉淀生成Ba2＋＋SO42－===BaSO4↓C.碳酸镁与盐酸反应：有气泡逸出CO32－＋2H＋===CO2↑＋H2OD.NaHCO3溶液中加入过量的Ba(OH)2溶液：有白色沉淀产生2HCO3－＋Ba2＋＋2OH－===BaCO3↓＋2H2O＋CO32－【答案】B【解析】【详解】A.反应中的生成物氯化镁在溶液中完全电离，应拆成离子形式，故A错误；B.氯化钡溶液与稀硫酸反应生成硫酸钡沉淀，则有白色沉淀，硫酸根离子与钡离子发生离子反应，故B正确；C

6、.碳酸镁为微溶物，应用化学式表式，故C错误；D.NaHCO3溶液中加入过量的Ba(OH)2溶液时，NaHCO3与Ba(OH)2反应的物质的量之比为1:1，离子反应方程式为：HCO3－＋Ba2＋＋OH－===BaCO3↓＋H2O，故D错误；答案选B。7.金属加工后的废切削液中含2%～3%的NaNO2，它是一种环境污染物，人们用NH4Cl溶液来处理废切削液，使NaNO2转化为无毒物质，该反应分两步进行：第一步：NaNO2+NH4Cl=NaCl+NH4NO2第二步：NH4NO2=N2↑+2H2O下列对第二步反应的叙述中正确的是①NH4NO2只是氧化剂②NH4NO2只是还原剂

7、③NH4NO2发生了分解反应④只有氮元素的化合价发生了变化⑤NH4NO2既是氧化剂又是还原剂A.①③B.①④C.②③④D.③④⑤【答案】D【解析】本题考查氧化还原反应的基本概念。第二步反应中NH4NO2发生了自身的氧化还原反应，其中氮元素发生了归中反应，NH4NO2既是氧化剂又是还原剂，从四大基本反应类型看，NH4NO2发生的是分解反应，所以③④⑤是正确的。故D选项符合题意。8.用下列实验装置进行相应实验，能达到实验目的的是A.用图1所示装置除去Cl2中含有的少量HClB.用图2所示装置蒸干NH4Cl饱和溶液制备NH4Cl晶体C.用图3所示装置制取少