半导体实验思考题.doc

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1、西安理工大学半导体物理思考题第一上传是因为这个我帮女友完成的第一个项目，第二我知道学弟学妹们需要实验一1.腐蚀时间过长或过短反射光圈会出现什么情况？时间过长，光圈变大变亮。2.解理法得到的特征光图中反射光斑对应什么晶面,（111）,（110）,（100）晶面的三个特征光图之间的相互方位如何？解理法将待测晶锭的一端先磨成锥形，在盛有80＃金刚沙的研钵中研磨，使锥形对面上解理出微小的解理面。这些解理面都是按特定的晶向解理出来，因而包含着结晶学构造中的各种方向特征。在图1.3所示的单晶硅一类的金刚石结构中，其一级

2、理解面为{111}，这使因为此晶面族之间原子间距最大，键合最小，最容易在外力作用下发生解理。从图1.3可以看出，[110]是一跟二次轴，其周围有两个对称的理解面（111）和（111）,如果[110]晶轴与激光束平行，则从（111）、(!!1)解理面上反射得到的特征光图呈二次轴对称。而[100]是一根四次轴，其周围有四个解理面，（111）、（111）、（111），因而特征光图具有四次轴对称性。由于研磨不能保证全部得到由理想的解理面组成的由规则小坑，而往往是杂乱无章的，因此反射出来的特征光图就显的比较暗淡，降低

3、了定向精度。在硅单晶定向中主要采用腐蚀法。两种不同的预处理工艺所产生的特征光图的区别是：（1）由于小坑内暴露出来的晶面不同，反射光束的方位和角度也不用；（2）解理法产生的光图，其光斑呈点庄，这是因为其反射面为镜状解理面，这是由于腐蚀坑的侧面和底面的相交处的边缘呈圆钝状。实验二1.位错和层错是怎样形成的?他们对器件有何影响？层错：硅单晶沿[111]方向生长，原子排列次序一定是AA’BB’CC’…,但是由于某种原因，原子排列不按正常次序生长AA’BC’AA’BB’CC’…,这样原子层产生了错排。产生的原因：固液

4、交界面掉有固体颗粒或热应力较大，过冷度较大等都可能造成层错面缺陷的产生，当衬底表面有机械损伤、杂质、局部氧化物、高位错密度等都有可能引起层错的产生。层错常常发生在外延生长的硅单晶体上，当硅单晶片经过900~1200℃热氧化过程后，经常可发现表面出现层错。这些由氧化过程引起的层错，称之为OISF。因为每个层错都结合着部分位错，所以层错对硅单晶片的电性质影响与位错相似。对电子器件的影响1）增加漏电流2）降低栅氧化层质量3）造成击穿在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。

5、从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。半导体晶体中的线缺陷主要是位错。晶体生长过程中由于热应力(或其他外力)作用，使晶体中某一部分(沿滑移面)发生滑移，已滑移区与未滑移区的分界线叫位错线，简称为位错。位错的一般特性：(1)位错虽被视为线缺陷，但并非几何学意义上的线，而是有一定宽度的管道。(2)位错管道内及其附近形成一个应力场。位错管道内原子的平均能量比其他区域大得多，故位错不是平衡缺陷。(3)位错在晶体中可形成一

6、封闭环形，或终止于晶体表面，或终止于晶粒间界上，但不能终止于晶体内部。2.在单晶样品的腐蚀显示中往往发现有位错的区域就不存在微缺陷;而在微缺陷存在的区域里就没有位错，如何解释这种现象？（1）没有位错的硅单晶片表面经择优化学腐蚀后，在横断面可能可以看出旋涡状的浅底缺陷的平衡浓度与温度有关，温度越低，其平衡浓度越低，从而使快速冷却后的晶体晶格中将出现本征点缺陷的过饱和（2），由于杂质浓度随温度的固浓度不同，导致化学杂志过饱和，硅单晶中尤为错的区域不存在为缺陷，只是由于位错可以作为可迁移过剩点缺陷的陷实验三1．能

7、否用四探针法测量n／n+外延片及p／p+外延片外延层的电阻率?答：不能用四探针法测量同型外延片。2．能否用四探针法测量n／p外延片外延层的电阻率？答：能用四探针法测量异型外延片。同型外延指：在P型材料上外延一层P型材料，或在N型材料上外延一层N型材料。这样外延层与衬底之间没有“隔绝的界限（空间电荷区不明显）”，这里不是“测试厚度”的问题。番外题。。。为什么测量单晶样品电阻率时测试平面要求为毛面，而测试扩散片扩散层薄层电阻时测试面可为镜面?答：毛面较能保证金属探针与样品接触良好，所以测量单晶样品电阻率时测试平

8、面要求为毛面。"...测试扩散片扩散层薄层电阻时测试面可为镜面..."其实当扩散片的测试面也为毛面时，对测量更好，但做扩散前已经将表面抛光成了镜面，并且扩散之后的扩散层的厚度较小，故不适合再研磨或吹沙，所以只能测镜面。为了能使测量更准，就对探针的压力和针尖有不同“毛面”的要求.....3.如果只用两根探针既作电流探针又作电压探针，这样能否对样品进行较为准确的测量？为什么？不能。原因是:1．接触电阻的影响严重。探针