集成电路版图设计复习.doc

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1、集成电路版图设计复习1.在P型硅片上设计的nMOS管可以分为n+层、SiO2层、多晶硅层和金属层。2.MOS管元件参数中的Cox是栅极单位面积所具有的电容。3.SiO2层在MOS器件中作为MOS器件的绝缘栅介质。4.在MOS管版图设计中，W是指源极/漏极沿栅极方向的长度，L是指栅极的宽度。5.集成电路版图设计中的扩散电阻，其中R[]是由工艺所决定的单位面积上的电阻。6.是PN结的内部电位，是由于载流子扩散引起的电位。7.是共源极放大器输出电压的计算公式，说明输出电压不仅与输入电压有关，还与宽长比和工

2、艺有关。8.在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片。是BJT制造中经常使用的技术。9.版图设计软件一般提供三种基本的检查，DRC（设计规则检查）、ERC（电气规则检查）和LSV（版图与原理图对照检查）。10.在设计数字电路中二极管时，一般选择Cj=0.5Cj0。得分评阅人11.集成电路设计流程包括系统设计、设计规范、电路设计、（1）四个阶段。(1)版图设计(2)几何尺寸(3)工艺(4)LSV12.不同的生产线提供不同的工艺保证，设计应当遵守工艺要求：（1）要求、扩散要

3、求、光刻条件要求、封装要求。(1)几何尺寸(2)电路设计(3)工艺(4)LSV13.通常要形成N型半导体需要在本征半导体中掺入（1）、砷等杂质，要形成P型半导体需要在本征半导体中掺入硼等杂质。(1)磷(2)硼(3)铁(4)铝14.版图设计软件一般提供三种基本的检查，DRC、ERC和（1）。(1)LSV(2)SOPC(3)ADC(4)LEDIT15.是PN结的内部电位，是由于(1)引起的电位。（密封线内勿答题）姓名学号学院（系）专业年级班（密封线内勿答题）(1)载流子扩散(2)载流子复合(3)外部电位

4、(4)反压16.绘制图示版图的原理图17.绘制图示版图的原理图18、绘制图示版图的原理图19.绘制图示版图的原理图得分评阅人20.绘制图示原理图的版图21.绘制图示原理图的版图解：NMOS22.绘制图示原理图的版图23.绘制图示原理图的版图解：