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时间:2020-05-20
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1、TMS320VC5402硬件系统简介1TMS320VC5402封装类型PQFP-144(PLASTICQUADFLATPACK)PBGA-144(PLASTICBALLGRIDARRAYPACKAGE)2TMS320VC5402基本系统3电源TMS320VC5402系统需要的电源类型:CPU核电源、I/O电源。上电次序:CPU内核先于I/O上电,后于I/O掉电。数字部分和模拟部分独立供电。4电源电源实例5电源电源保护电路6时钟TMS320VC5402内部有震荡电路,外接晶体及负载电容即可正常工作。当然也可以不使用内部震荡电路,直接输入时钟信号。注意:当使用外接晶体时,要配置正确的负
2、载电容,使输出时钟频率精确、稳定。TMS320VC5402有片内锁相环PLL(Phase-LockedLoops)可以对输入的时钟信号进行分频或者是倍频。7时钟TMS320VC5402片内PLL分频及倍频系数由片内寄存器CLKMD控制,CLKMD上电时的值由上电时对外部管脚CLKMD1、CLKMD2、CLKMD3电平采样设定。8时钟时钟电路实例9复位电路复位电路可以输出稳定的复位信号,常见的复位芯片一般还带有电源检测及看门狗等功能。复位电路实例10复位电路TPS3707-33D内部功能图11JTAG口JTAG是JointtestActionGroup的简称,又称JTAG口,它是一符
3、合IEEEStd1149.1边界扫描逻辑标准的标准接口。它主要用于在硬件上对DSP进行实时在线仿真测试和DSP程序的下载,它提供对所连接设备的边界扫描,同时也可以用来测试引脚到引脚的连续性,以及进行DSP芯片的外围器件的操作测试。12JTAG口TCK:测试时钟TDI:测试数据输入TDO:测试数据输出TMS:测试方式选择TRST#:测试复位引脚EMU0:仿真中断引脚0EMU1:仿真中断引脚113JTAG口JTAG口实例14存储器存储器基础两个主体存储器存储器控制器三总线接口数据总线:双向,用来传输读写的数据地址总线:由控制器输出,用来选择存储单元控制总线:由控制器输出,用来控制读写操
4、作两种基本操作读操作:存储器放数据到数据总线写操作:控制器放数据到数据总线主从结构控制器为主存储器为从15存储器存储器及其接口类型异步存储器接口:数据、地址和控制总线无统一的时钟进行同步,如SRAM、FLASH等。同步存储器接口:数据、地址和控制总线使用统一的时钟进行同步,如SDRAM、同步FIFO等。TMS320VC5402只能外接异步存储器。16存储器TMS320VC5402外部存储器接口接口信号数据总线:D0-D15地址总线:A0-A19控制总线:数据、程序、I/O空间选通信号:DS#、PS#、IS#存储器选通信号:MSTRB#数据准备信号:READY读写选通信号:R/W#I
5、/O选通信号:IOSTRB#挂起输入信号:HOLD#挂起应答信号:HOLDA#微状态完成信号:MSC#指令捕获信号:IAQ#17存储器-TMS320VC5402寻址空间18存储器TMS320VC5402扩展程序空间19存储器TMS320VC5402存储器读取时序图无等待周期20存储器TMS320VC5402存储器读取时序图有等待周期21存储器TMS320VC5402存储器写时序图无等待周期22存储器TMS320VC5402存储器写时序图有等待周期23存储器16位外部SRAM接口信号数据总线:D0-D15地址总线:视SRAM容量而定控制总线:片选信号:CE#输出使能信号:OE#写使能
6、信号:WE#低字节控制信号:LB#高字节控制信号:UB#24存储器SRAM存储器读写时序图(左)读(右)写25存储器SRAM存储器与5402接口实例26存储器其中SRAM控制信号和高位地址信号由下列VHDL语言给出:27存储器FLASH接口控制信号的生成与SRAM基本相同,所不同的是在对FLASH进行读写的时候等待周期要设得更长,具体值要根据5402的当前频率以及不同型号FLASH的数据手册。FLASH在写入的时候与SRAM不同,必须使用擦除和写入命令序列,厂商不同,命令序列稍有不同。28存储器典型FLASH命令序列29存储器TMS320VC5402在外接存储器时的注意事项:没有使
7、用的管脚要做适当的处理:READY上拉HOLD#上拉如果外部总线上挂接的设备较多,应适当的添加总线驱动设备,如244,245等。为了布线的方便,SRAM的地址和数据总线可以适当的交换,而FLASH不行。30通用串口、并口及ADC/DACTMS320VC5402不带有通用串口、并口及ADC/DAC,只能根据需要在外部扩展。可以选择的器件很多,应根据性能要求选择。一般通串口、并口过外部总线扩展。ADC/DAC则可以通过McBSP或是外部总线扩展。31通用串口通用串口实例3
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