变压器介损试验教程.ppt

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1、变压器绕组连同套管的介质损耗因数tgnδ试验张金伟介损试验(一)介损（tgnδ）tgnδ值称为介质损耗因素，以介质损失角的正切值tgnδ表示的。介损试验是绝缘介质在交流电场作用下的能量损失，在一定电压和频率下，反映绝缘介质内单位体积中能量损耗的大小，它与介质体积尺寸大小无关，数值上为电介质中的电流有功分量与无功分量的比值，是一个无量纲的数。电介质的并联等值电路与相量图①电介质电导引起的损耗在电场作用下电介质电导（又称漏导）产生的泄漏电流会造成能量损耗，②在交流电压作用下，电介质由于周期性的极化过程，带电质点需要克服极化分子间的内摩擦力而造

2、成能量损耗，极化损耗的大小与电介质的性能、结构、温度、交流电压频率有关。③局部放电引起的损耗(二)介质损失角正切主要能发现哪些缺陷？测量电气设备绝缘的介质损失角正切值tgnδ、是判断绝缘性能的有效方法，主要用于检查电气设备整体是否受潮、绝缘老化、油质劣化、绝缘上附着油泥及严重局部缺陷等；以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷。（在一般情况下，介质损耗tgnδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏）。测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是大体积试品的局部缺陷。(三)Q/CSG114002-2011电力设备预防性试验规程规定

3、：①tgnδ值与出厂试验值或历年的数值不应有显著变化（增量一般不大于30%）②20℃时不大于下列数值：500kV：0.6%110kV-220kV:0.8%35kV:1.5%（同一变压器各绕组tgnδ的要求值）③当变压器电容型套管末屏对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地介损，加压2kV(四)试验方法正接线及反接线①测量变压器介损要采用反接法把各绕组的所有端子用导线短接，被试绕组（引出者）应短接一起加压，其它绕组短接后接地或屏蔽，铁心和夹件的接地端子与油箱相连（接地）反接线。该接线适用于被试品—端接地。测量时电桥处于高电位，试验电压受电

4、桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电容不易消除，抗干扰性差。例测量变压器介损要采用反接法变压器本体、电流互感器末屏、电流互感器本体测量变压器绕组连同套管的tgδ试验电压可为10kV反接线、内标准电容、内高压（常规反接线）反接线测试②正接线。试品两端对地绝缘．电桥处于低电位，试验电压不受电桥绝缘水平限制，易于排除高压端对地杂散电流对实际测量结果的影响，抗干扰性强。测量有未屏引出线电容式套管可采用正接法。变压器的电容型套管、耦合电容器电容式电压互感器测量的tgnδ试验电压可为10kV。正接线、内标准电容、内高压（常规正接线）：正接线测试(五)操作

5、时注意事项：①按设备接地与否选择接线（正接线或反接线）②仔细阅读介质损耗测试仪AI-6000型说明书，按说明书的要求及控制台面上接线图接线③升压速度不应太快。升压中若发现异常现象，应马上降压断开电源，并查明原因。④试验完毕，降压、断开电源后，才能更改接线。AI-6000E型高压输出面板图AI-6000E型上面板图仪器结构(六）影响变压器介损测量的一些因素影响介质损耗的因素有下面几种1.温度的影响：应尽量选择在相近温度条件下进行绝缘tgnδ试验,温度对测量tgnδ值影响较大，在绝大多数情况下，tgnδ值随温度升高而增高，tgnδ值随温度的变

6、化与试品的绝缘结构有关。这是由于温度升高，介质中的离子增多，电导电流增大，极化过程中分子间阻力增加，从而使介质损耗增加。2.湿度的影响：湿度增大使被试品表面泄漏电流增大，介质损失因数测量结果常受表面泄漏和外界条件（如干扰电场和大气条件）的影响，影响测量准确度，应采取措施减少和消除这种影响。3.电场干扰a.提高试验电压，试验电压提高，通过试品的电容电流增大，信噪比提高，干扰电流对δ角的影响相对减小，这种方法适用于对弱干扰信号的消除；b.尽量采用正接线；c.屏蔽法：在被试品上加装屏蔽，使干扰电流经屏蔽流走，不经过电桥桥臂d.选相、倒相法；e.

7、移相法；f.变频法。4.磁场干扰当电桥靠近电抗器、阻波器等漏磁通较大的设备时，会受到磁场干扰。将电桥移到磁场干扰以外或采取其它频率测量即异频方法测量。5.试验引线设置不当。6.被试品表面（脏污、受潮）泄漏的影响。7.被试品周围空气的干扰。8.周围杂物等影响。9.局部缺陷的影响。10.周围的杂散电容太大,而被试品的自身电容量相对小。11.在潮湿大气条件下瓷套表面凝结水膜。12.套管内部油质劣化。13.标准电容介质损耗大于试品介质损耗。14.试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响。15.试验装置屏蔽不完善。16.电压的影响。1

8、7.频率的影响。(七)如何避免-tgnδ情况：出现-tgnδ产生的主要原因。1.被试品的自身电容量相对小。2.周围的杂散电容太大。3.在潮湿大气条件下瓷套表面凝结水膜。4.套管内部油质劣化。5