高压介损试验.doc

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1、第三章介损、高压介损试验电介质在交流电压作用下，除电导和周期性缓慢极化引起的损耗外，有时可能产生游离损耗，即电晕和局部放电损耗，这些损耗统称为介质损耗。介质损耗因数tgδ的测量，习惯上简称“介损试验”。介质损耗因数tgδ测试介质损耗因数tgδ是反映绝缘性能的基本指标之一。介质损耗因数tgδ反映绝缘损耗的特征参数，它可以很灵敏地发现电气设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积设备贯通和未贯通的局部缺陷。介质损耗因数tgδ与绝缘电阻和泄漏电流的测试相比具有明显的优点，它与试验电压、试品尺寸等因素无关，更便于判断电气设备绝缘变化情况。因此介质损耗因数tgδ

2、为高压电气设备绝缘测试的最基本的试验之一。介质损耗因数tgδ可以有效的发现绝缘的下列缺陷：（1）受潮；（2）穿透性导电通道；（3）绝缘内含气泡的游离，绝缘分层、脱壳；（4）绝缘有脏污、劣化老化等。一、测量原理介质在交流电压作用下的情况如图3-1(a)所示，Ì=ÌR+ÌCÌÌRÌCÌCXÌRCÌCÙÙRδÙ（a）（b）（c）图3-1绝缘介质在交流电压作用下的电路图和相量图（a）电路示意图(b)等值电路图(c)相量图通常把绝缘介质看成由一个等值电阻R和一个等值无损耗电容C并联组成的电路，如图3-1（b）所示，通过介质的总电流Ì是由通过R的有功电流ÌR

3、和通过C的无功电流第8页共8页ÌC所组成。ÌR流过电阻R所产生的功率代表全部的介质损耗,ÌR越大,介质损耗越大。由ÌR、ÌC和Ì所组成的相量图如3-1(c)所示，从图中可以看出ÌR的大小与Ì和ÌC之间的夹角δ有关，δ越大，ÌR越大，因此，称δ为介质损失角。从图中可得出：介质损耗P与介质损失角δ之间有如下的关系式：ÌR=U/RÌC=U/XC=ωCUtgδ=ÌR/ÌC=1/ωCRP=UÌR=UÌCtgδ==UωCUtgδ=U2ωCtgδ其中，P——绝缘介质中的损耗功率U——被试品上的交流电压有效值C——被试品电容ω——电源角频率从上述关系式可以看出，

4、通过测量tgδ值可以反映出绝缘介质损耗的大小。二、测量仪器现场主要用AI—6000自动抗干扰精密介质损耗测量仪和2816型自动12KV绝缘测试系统两种仪器进行测量。AI—第8页共8页6000一体机应用于现场抗干扰测量，内置了介损电桥、变频电源、试验变压器和标准电容器。采用变频干扰和傅立叶变换全数字处理技术，全自动高度智能化测量，干扰下测量数据非常稳定。测量结果由面板液晶显示屏显示，内置微型打印机可自动打印结果。此仪器的主要特点是能够自动分辨电容、电感、电阻型试品并进行测量。电容型试品则显示CX和tgδ；采用变频技术，解决了抗干扰问题。其特有的45

5、HZ-55HZ自动双变频测量能在50HZ强干扰环境中直接得出50HZ的结果。数控变频电源，测量电压从500V—10V连续设定，仪器自动缓慢升降压，整个测量过程只需要大约1分钟时间。另外，当高压短路、击穿或测试电流波动时，仪器能快速切断高压。仪器设有断电保护，突然断电不会引起过电压。三、测量接线及测试方法1.AI-6000自动抗干扰精密介质损耗测量仪一体机的主要测量接线方式有以下两种：高压CX接地试品开内高压开关正内CN--Hz10KVTestHV-RD接地接线一：正接线、内标准电容、内电压（标准正接线）高压接地试品开内高压开关反内CN--Hz10

6、KVTestHV-RD接地接地第8页共8页接线二：反接线、内标准电容、内电压（标准反接线）现场根据测量需要，选择合适的接线，正接线方式测量时高压线芯线和屏蔽都可接到CX高压端，此时试品输入CX插座输入试品电流，测试线芯线接CX低压信号端，屏蔽接CX屏蔽端；反接线时高压线芯线接到CX信号端，屏蔽接到CX屏蔽端（无屏蔽试品屏蔽悬空）然后根据该测量方式选择需要的菜单选项。用键移动光标到相应菜单，用键修改光标处菜单内容。光标必须停在Test处按启/停键一秒钟以上开始升压测量。不显示Test项，则表示设置不正确，不允许测量。（菜单项设定好后自动记忆，试验人

7、员不必反复修改菜单）整个测量过程大约需要一分钟时间。测量的任何时候，仪器必须可靠接地，以防外壳带电。紧急情况下应立即关闭“总电源开关”。反接线法适用于一端接地的被试设备，但此方法受外界环境因素及设备表面脏污情况的影响较大。2.2816型自动12KV绝缘测试系统的接线图如下图所示接地HVGROUNDINPUTAINPUTBINPUTCnVEXTERFACE试品第8页共8页按试验接线图接好线，确认安全后，打开2816的主电源，同时注意GRUND灯是否亮；选择模式后，抓住安全开关并按住它，OPERATOR灯亮（能听到一声笛声，若听不到，旋转HIGHVO

8、LTAGE到0%）；按下HVON按钮，高压灯亮；此时，模板上有一行时间显示，按RUN键，电容/功率因数将显示测量值；调压到所需电压值，按