AgInS_2纳米粒子的制备及其可见光催化活性.pdf

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1、第27卷第4期无机化学学报V0l_27No．42011年4月CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY692—696AglnS2纳米粒子的制备及其可见光催化活性魏清莲赵雪伶姚平平穆劲(华东理工大学化学与分子工程学院，上海200237)摘要：以水为溶剂，硫代乙酰胺为硫源，巯基乙酸为包覆剂，于低温下制备了正交相的AgInS纳米粒子。用TEM、EDS和XRD对所制备的AgInS纳米粒子的形貌、组成和晶相进行了表征。并考察了反应时间对AgInS：纳米粒子的晶相及其可见光催化降解活性的影响。结果表明：延长反应时间可以提高AgInS纳米粒子的结晶性和可见光催化活性。关键词

2、：AgInS纳米粒子；硫代乙酰胺；巯基乙酸；低温液相合成；可见光催化中图分类号：0611．4文献标识码：A文章编号：1001—4861(2011)04—0692—05PreparationandVisibleLightPhotocatalyticActivityofAglnS2NanoparticlesWEIQing—LianZHA0Xue-LingYAOPing—PingMUJin(SchoolofChemistryandMolecularE嚼neering,EastChinaUniversityofScienceandTechnology,Shanghai200237，China)

3、Abstract：AgInS2nanoparticleswithorthorhombicstructurewerepreparedviaawetchemicalrouteatlowtemperatureusingwaterassolvent，thioacetamideassulfursourceandmercaptoaceticacidascappingagent．ThemorphologyandcompositionaswellascrystalphaseofAglnS~nanoparticleswerecharacterizedbyTEM，EDSandXRD．Theeffectso

4、freactiontimeonthecrystalphaseandthevisiblelightphotocatalyticdegradationactivityofAglnS2nanoparticleswerealsoinvestigated．Theresultsshowedthattheextentionofpreparationtimecouldimprovethecrystallinityaswellasthevisiblelightphotocatalyticactivityoftheparticles．Keywords：AgInS2nanopartieles；thioace

5、tamide；mercaptoaceticacid；lowtemperaturewetchemistrysynthesis；visiblelightphotocatalysis进入2l世纪．能源危机和环境污染成为人类社两种晶相．其带隙值分别为1．87和1．98eV[12-141尽会可持续发展中面临的非常重要的两大课题半导管AglnS，的带隙值比作为光电池吸收材料的最佳体光催化．尤其是利用廉价的太阳光作为光源．来实值1．45eV大．但因其具有合适的晶格常数。可以与现污染物的可见光催化降解．是一项低能、环保的新CdS和CuInSe，半导体形成匹配性良好的异质结．使技术目前．光催化利用的大多

6、是紫外光。因此，制备其成为有前途的制备高效串联太阳能电池的材高效、稳定的可见光响应的光催化剂已经成为光催料I15_。化研究中的一个重要方向lll目前，AgInS的制备方法主要有：布里曼晶体生近年来，三元硫化物AB．~CfA=Zn、Cd、Cu，etc；长法『l61、垂直梯度冷凝法『l7】、热压法[18-19]、喷雾热解法B=A1、Ga、In；C=S、Se、Te)N其禁带宽度较窄，在可见[201以及热壁外延生长法等[21】这些传统制备方法一光区有较强吸收．并具有独特的光电和催化性能，在般都存在着高温、高压、设备昂贵、工艺复杂、制备周发光二极管、非线性光学器件、太阳能电池、光催化期长等缺点．

7、导致生产成本高不适合工业化生产并等领域的潜在应用．使其受到人们的广泛关注[2-“]。且在高温、高压条件下进行制备还会导致材料产生AgInS是I．Ⅲ．Ⅵ族三元硫化物，有黄铜矿和正交空位或间隙缺陷．进而使材料的晶体质量和光学性收稿日期：2010．09—25。收修改稿日期：2010一l0—27。国家自然科学基金fNo．20933007)资助项目。通讯联系人。E-mail：jinmu@ecust．edu．cn；会员登记号：S060000183M。第4期