太阳能级多晶硅片产品规格书(chinsun).doc

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1、太阳能级多晶硅片产品规格书太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21日多晶硅片外观尺寸参数见下表：项目参数备注外形直方边长156.0×156.0（±0.5）mm直角度90±0.3°倒角尺寸斜边0.7--2.1mm直角边0.5—1.5mm斜角度45±10°厚度（TV）TWP-156-200：200.0±20μm中心厚度TWP-156-180：180.0±15μm中心厚度总厚度偏差（TTV）≤30μm片内最大厚度与最小厚度差值（按5点法或三线法测试）4.2多晶硅片表面质量多晶硅片表面质量参数见下表：项目要求备注边缘缺陷长度≤1mm，深度≤0

2、.5mm，总数≤2处缺口无线痕深度≤15μm穿孔、凹坑、隐裂无明显缺陷晶粒尺寸每2cm2面积内晶粒数不多于20个300-500lux光强度下，沾污不多于3处，沾污总面积≤3cm2弯曲/翘曲≤50μm4.3多晶硅片电学性能多晶硅片电学性能参数见下表：项目参数备注电阻率（Ω·cm）1.0～3.0电阻率不均匀性（％）≤25少子寿命（μs）≥1.24.4杂质含量太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21日所用硅原材料的杂质含量标准如下：a)氧含量应不大于8.0×1017atoms/cm3；b)碳含量应不大于1.0×1018atoms/cm3。多

3、晶硅片材料特性参数见下表：项目要求备注生长方式DSS掺杂型号/掺杂元素p-type/Boron氧含量≤8×1017atoms/cm2碳含量≤1×1018atoms/cm2金属杂质含量≤0.05ppmw根据供应商提供的检验报告加以控制5检验规则5.1检验多晶硅片生产完成后，硅片分选进行全检，由IPQC进行制程检验合格后入库。多晶硅片检验项目判定规则见下表：检验项目技术要求条款试验方法条款抽样方案检查水平AQL备注外观尺寸4.15.1在线100％全检表面质量4.25.2电学性能4.35.2杂质含量4.45.2一次Ⅱ2.55.2交收检验交收检验

4、，抽检方案按GB/T2828.1中的规定进行。多晶硅片交收检验抽检项目判定规则见下表：检验项目技术要求条款试验方法条款抽样方案检查水平AQL备注外观尺寸4.15.1一次Ⅱ2.5表面质量4.25.2电学性能4.35.2太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21日6.3运输图2多晶硅片包装示意图产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取较好的减震、防雨措施。6.4贮存产品应在温度为0℃～35℃、相对湿度为20％～60％的条件下贮存。