太阳能级多晶硅料等级标准.doc

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1、GB/T××××—××××中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会××××-××-××实施××××-××-××发布太阳能级多晶硅Solar-GradePolycrystallinesilicon（初稿）GB/T××××—××××中华人民共和国国家标准ICS29.045H827GB/T××××—××××前言本标准是为适应我国光伏产业日益发展的需要，在修改采用SEMI16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国硅多晶硅生产、试验、使用的实际情况而制定的。本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。本标准考虑了目前市场上的大部分多晶硅料，包

2、括：硅粉、碳头料、棒状料、块状料、颗粒料等，根据不同种类的硅多晶加工、生产太阳能电池其转换率情况，将太阳能级硅多晶纯度指标分为三级。与SEMI16-1296相比增加了基体金属杂质内容。本标准的术语与相关标准协调一致。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。本标准主要起草人：杨玉安、袁金满、孙世龙、汪义川。7GB/T××××—××××太阳能级多晶硅1　范围本标准规定了太阳能级硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。本标准

3、适用于以三氯氢硅或四氯化硅为原料，生产的棒状多晶硅、粒状状多晶硅、包括块状多晶硅、碳头料和生产过程中的硅粉，以及采用物理提纯法提纯生产的多晶硅。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。2　规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T1553硅和锗体内

4、少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T4059硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T1558硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558测定硅晶体中代位碳含量红外吸收方法GB/T××××-200×硅多晶中基体金属杂质化学分析电感耦合等离子体质谱法GB/T14264半导体材料术语ASTMF1389-00光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质ASTMF1724-01利用原子吸收光谱测量多晶硅表面金属杂质3　要求3.1　分类产品按外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅，根据纯度的差别分为3级。3.2　牌号硅多晶牌号表示为：SOGPSi—□—□阿拉伯数

5、字表示硅多晶等级字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状、P表示粉状 表示太阳能级硅多晶7GB/T××××—××××1.1　技术要求1.1.1　棒状、块状硅太阳能级棒状、块状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表1的规定。表1项目太阳能级硅多晶等级1级品2级品3级品N型电阻率，Ω·cm≥50≥15≥10P型电阻率，Ω·cm≥500≥10≥10氧浓度，at/cm3≤1.0×1017≤1.0×1017≤1.0×1017碳浓度，at/cm3≤2.5×1016≤5.0×1016≤5.0×1016N型少数载流子寿命，μs≥100≥50≥10基体金属杂质，ppmwFe、Cr、Ni、Cu、Zn、C

6、a、Mg、Al，TMI≤0.05Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，TMI≤0.5Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，TMI≤0.51.1.2　粉状多晶硅粉状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表2的规定。表2项目太阳能级硅多晶等级1级品2级品P含量，ppma≤0.0017≤0.006B含量，ppma≤0.0005≤0.027氧浓度，at/cm3≤1.0×1017≤1.0×1017碳浓度，at/cm3≤2.5×1016≤5.0×1016基体金属杂质，ppmwFe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，TMI≤0.05Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、M

7、g、Al，TMI≤0.51.1.3　碳头料碳头料中的碳去除干净，可以用作太阳能铸锭和拉棒。其技术要求同表1太阳能级块状和棒状多晶硅纯度要求中的2级品。1.1.4　粉状料粉状料可以太阳能铸锭，其技术要求应符合表2中2级品的规定。1.2　尺寸范围1.2.1　破碎的块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为6mm，最大为100mm。1.2.2　块状多晶硅的尺寸分布范围为：a)6～25mm的最多占重量的15%；7GB/T××××—××××b)25～50mm的占重量的15%~35%；c