内存的原理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM).pdf

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1、内存的原理和时序（SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、RambusDRAM）目录序言第一章SDRAM的原理和时序1.1SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽1.1.1物理Bank1.1.2芯片位宽1.2SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法1.2.1逻辑Bank与芯片位宽1.2.2内存芯片的容量1.2.3与芯片位宽相关的DIMM设计1.3SDRAM的引脚与封装1.4SDRAM芯片初始化、行有效、列读写时序1.4.1芯片初始化1.4.2行有效1.4.3列读写1.5SDRAM的读/写时序与突发长度1.5.1数据输出（读）1.5.2数据输入（写）1.5.3突

2、发长度1.6预充电1.7刷新1.8数据掩码1.9SDRAM的结构、时序与性能的关系1.9.1影响性能的主要时序参数1.9.2增加PHR的方法1.9.3增加PFHR的方法1.9.4内存结构对PHR的影响1.9.5读/写延迟不同对性能所造成的影响1.9.6BL对性能的影响1.10仓库物语第二章DDRSDRAM的原理和时序2.1DDR的基本原理2.2DDRSDRAM与SDRAM的不同2.3差分时钟2.4数据选取脉冲（DQS）2.5写入延迟2.6突发长度与写入掩码2.7延迟锁定回路（DLL）第三章DDR-Ⅱ的原理和新技术3.1DDR-Ⅱ内存结构3.2DDR-Ⅱ的新

3、操作与新时序设计3.2.1片外驱动调校（OCD，Off-ChipDriver）3.2.2片内终结（ODT，On-DieTermination）3.2.3前置CAS、附加潜伏期与写入潜伏期3.3DDR-Ⅱ未来发展3.3.1DDR-Ⅱ的发展计划3.3.2DDR-Ⅱ时代的封装技术第四章RambusDRAM的原理4.1RDRAM简介4.2RDRAM的结构简介4.2.1RDRAM的L-Bank结构4.2.2RDRAM的主要特点4.3RDRAM的具体操作与相关技术4.3.1初始化与命令包4.3.2操作时序计算4.3.3写入延迟与掩码操作4.3.4多通道技术与多通道模组

4、4.3.5黄石技术4.4延迟与总线利用率的比较4.5未来竞争展望第五章内存模组介绍5.1Unb与Reg-DIMM的区别5.2DIMM引脚的基本设计5.3QBM型DIMM5.4模组的堆叠装配序言作为电脑中必不可少的三大件之一（其余的两个是主板与CPU），内存是决定系统性能的关键设备之一，它就像一个临时的仓库，负责数据的中转、暂存……不过，虽然内存对系统性能的至关重要，但长期以来，DIYer并不重视内存，只是将它看作是一种买主板和CPU时顺带买的“附件”，那时最多也就注意一下内存的速度。这种现象截止于1998年440BX主板上市后，PC66/100的内存标准开

5、始进入普通DIYer的视野，因为这与选购有着直接的联系。一时间，有关内存时序参数的介绍文章大量出现（其中最为著名的恐怕就是CL参数）。自那以后，DIYer才发现，原来内存也有这么多的学问。接下来，始于2000年底/2001年初的VIA芯片组4路交错（4-WayInterleave）内存控制和部分芯片组有关内存容量限制的研究，则是深入了解内存的一个新开端。从那时起，很多关于内存方面的深入性文章接踵而至，如果说那时因此而掀起了一股内存热并不夸张。大量的内存文章让更多的用户了解了内存，以及更深一层的知识，这对于DIY当然是一件好事情。然而，令人遗憾的是这些所谓的

6、内存高深技术文章有不少都是错的（包括后来的DDR与RDRAM内存的介绍），有的甚至是很低级的错误。在这近两年的时间里，国内媒体上优秀的内存技术文章可谓是寥若晨星，有些媒体还编译国外DIY网站的大篇内存文章，但可惜的是，外国网站也不见得都是对的（这一点，似乎国内很多作者与媒体似乎都忽视了）。就这样，虽然打开了一个新的知识领域，可“普及”的效果并不那么好，很多媒体的铁杆读者高兴地被带入内存深层世界，但也因此被引向了新的误区。不过，从这期间（2001年初至今）各媒体读者对这类文章的反映来看，喜欢内存技术的玩家大有人在且越来越多，这是各媒体“培养”的成果。这些用户

7、已经不满足如何正确的使用内存，他们更渴望深入的了解这方面原来非常贫乏的知识，这些知识可能暂时不会对他们在使用内存过程中有什么帮助，但会大大满足他们的求知欲。我们这次的专题不再以内存使用为中心，更多的是纯技术性介绍，并对目前现存的主要内存技术误区进行重点纠正。在最后要强调的是，本专题以技术为主，由于篇幅的原因，不可能从太浅的方面入手，所以仍需要有一定的技术基础作保证，而对内存感兴趣的读者则绝不容错过，这也许是您最好的纠正错误认识的机会！第一章SDRAM的原理和时序1.1SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽正确并深刻理解内存的基础概念，是阅读本专题的第一

8、条件。因为即使是RDRAM，在很多方面也是与SDRAM相似的，而至