LED芯片的制造工艺流程.doc

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1、LED芯片的制造工艺流程外延生长的基本原理是：在一块加热至适半温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄骐。目前LED外延片生长技术主要采用冇机金属化学气相沉积方法。MOCVI）介绍；金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD）,1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度窩、价格昂贵、技术集成度窩的尖

2、端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化傢）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最冇发展前途的专用设备之一。LED芯片的制造工艺流程:外延片一清洗一镀透明电极层一透明电极图形光刻一腐蚀一去胶一平台图形光刻一干法刻蚀一去胶一退火一Si02沉积一窗口图形光刻一Si02腐蚀一去胶一Z极图形光刻一预清洗一镀膜一剥离退火fP极图形光刻-*镀膜f剥离研磨切割芯片f成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻右刀

3、），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，如图所示：1、主要对电压、波长、壳度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。2、晶圆切割成芯片后，100%的目检(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、扌比号、

4、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次H检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极冇磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。LED芯

5、片的制造工艺流程—夕卜延匸长的基本原理是：在•块加热至适当温度的衬底基片（圭藝有蓝宝疽和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP控制的输送到衬底表面，牛长出特定单•晶薄膜。H前LED外延片牛•长技术卞要采用有机金属化学气相沉积方法。MOCVD介绍：金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD）,1968年由美国洛克威尔公司提出来的-•项制备化合物、卜导休单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电了、流体力学、光学、化学、计算机多学科为-•体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的

6、尖端光电子：用设备，卞要用fGaN（氮化镣）系半导体材料的外延牛长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。LED芯片的制造工艺流程：外延片-清洗一＞镀透明电极层一＞透明电极图形光刻一＞腐蚀一＞去胶一＞平台图形光刻一＞干法刻蚀一＞去胶一＞退火-＞SiO2沉积一＞窗口图形光刻-Si02腐蚀去胶-N极图形光刻-预清洗-镀膜-剥离-退火-P极图形光刻-镀膜-剥离―研磨T切割T芯片T成品测试。其实外延片的牛产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下•步就开始対LED外延片做电极（P极,N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切

7、割LED外延片卞要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，如图所示：1.主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合止常出货标准参数的晶圆片冉继续做下-步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在-边另外处理。2.晶圆切割成芯片后，100%的n检（VI/VC）,操作者要使用放人30倍数的显微镜下进行H测。3.接着使用全口动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。4.最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的屮心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于