模拟第2章4.ppt

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1、【本章小结】1.半导体存在两种导电的载流子：自由电子和空穴。纯净的半导体也称为本征半导体，在本征半导体中掺入不同的有用杂质，可分别形成P型和N型两种杂质半导体，P型半导体的多数载流子是空穴，N型半导体的多数载流子是自由电子。2.PN结的重要特性是单向导电性，即加正向电压PN结导通，加反向电压PN结截止。3.常用伏安特性来描述半导体二极管的性能,二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向击穿电压、最高工作频率等。电气与电子工程学院4.分析二极管电路的很重要的方法是模型分析法，即根据实际电路情况，为二极管建立一个接近于它原有伏安特性的线性模型(如理想模型、恒压源模型)，二

2、极管有很多作用，如整流、限幅、钳位等。5.特殊二极管与普通二极管一样，也具有单向导电性。利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管；利用发光材料，可制成发光二极管；利用PN结的光敏特性，可制成光电二极管；利用PN结的结电容，可制成变容二极管。电气与电子工程学院作业1-1、1-4、1-8第2章　双极型三极管(BJT)及其放大电路又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。(BipolarJunctionTransistor)三极管的外形如下图所示。三极管有两种类型：NPN和PNP型。主要以NPN型为例进行讨论。图2.1.1三极管的外形一、放大的概念放大电路的核心元件:是双极型三极管和

3、场效应管。放大的对象:是变化量。放大作用:是小能量对大能量的控制作用。放大的本质:是实现能量的控制。下页上页首页补充**1.电压放大倍数2.电流放大倍数适用条件:IoIiUoUiIoIiAuAi==Uo没有明显失真1.放大倍数放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻二、放大电路的主要技术指标下页上页首页无明显失真的最大输出电压(或电流)，一般指电压的有效值,以Uom(或Iom)表示。2.最大输出幅度IoIi下页上页放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻首页所有的谐

4、波总量与基波成分之比:3.非线性失真系数IoIi下页上页放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻首页4.输入电阻中频段通常希望Ri愈大愈好IoIi下页上页放大电路Ri+-+-RsRoRL正弦测试电压放大电路技术指标测试示意图Us+-Ui+-Uo负载电阻首页5.输出电阻中频段通常希望Ro愈小愈好。下页上页IoIi放大电路Ri+-RsRo放大电路技术指标测试示意图+-Ui+-Uo首页放大倍数在高频和低频段分别下降至中频放大倍数的0.707倍时所包括的频率范围,用BW表示。如图所示.BW0.707AumAumAuOf放大电路的通

5、频带6.通频带下页上页首页输出功率:无明显失真时的最大输出功率,用Pom表示。效率:PV为直流电源消耗的功率。除以上几个主要技术指标外,针对不同场合，还可能提出其他一些指标，如电源容量，抗干扰能力等。7.最大输出功率与效率上页首页2.1.1三极管的结构常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。图2.1.2三极管的结构(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)NecNPb二氧化硅becPNPe发射极，b基极，c集电极。平面型(NPN)三极管制作工艺NcSiO2b硼杂质扩散e磷杂质扩散磷杂质扩散磷杂质扩散硼杂质扩散硼杂质扩散PN在N型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质

6、进行扩散形成P型(基区)，再在P型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。合金型三极管制作工艺：在N型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与N型锗接触，冷却后形成两个P型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。图2.1.3三极管结构示意图和符号(a)NPN型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极eNNP集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极bcbe符号NNPPN图2.1.3三极管结构示意图和符号(b)PNP型2.1.2三极管的放大作用和载流子的运动以NPN型三极管为例讨论图2.1.4三极管中的两个PN结cNNPebbec

7、表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用复习1.二极管的作用（有四）2.特殊二极管（稳压管）4.**重点与考点：1、二极管削波与限幅2、温度对特性的影响、3、三极管各管脚的判断3.三极管符号、类型、称呼三极管内部结构要求：NNPebcNNNPPP1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3.集电结面积大。becR