EBSD背散射电子衍射的原理.ppt

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1、背散射电子衍射的原理ElectronBack-Scatter(ed)Diffraction（EBSD）背散射电子衍射原理背散射电子衍射技术原理背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法背散射电子衍射花样的采集与标定背散射电子衍射分析基本原理背散射电子衍射仪的工作原理图背散射电子衍射技术原理控制方式电子束控制样品台控制散射电子强度随散射角的变化EBSD样品相对于入射束的放置背散射电子衍射技术原理OBeam菊池衍射花样的产生背散射电子衍射技术原理S菊池衍射花样的接收背散射电子衍射技术原理101010010010001000FEGSEMW-SEMReso

2、lution(nm)Probecurrent(nA)1002003004005000.501.01.5Angularaccuracyq95(o)Probecurrent(nA)20keV,Al20keV,AlhigherkeVhigherkeV背散射电子衍射技术原理背散射电子衍射的空间分辨率70倾斜0无倾斜背散射电子衍射技术原理背散射电子衍射的空间分辨率（a）平行于转轴，（b）垂直于转轴背散射电子衍射技术原理EBSD空间分辨率的测定背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法对样品的要求样品能产生计算机可以识别且能正确标定的菊池衍射花样要求样品表

3、面平整，无较大的应变样品的制备方法金属样品：电解抛光陶瓷样品：机械抛光金属基复合材料：离子束刻蚀实验需要的样品信息样品中各相的晶体结构，原子在单胞中的位置坐标菊池花样背散射电子衍射花样的采集与标定＋定点选择菊池线Hough空间花样标定标定校正晶体取向hough变换背散射电子衍射花样的采集与标定利用hough变换，将菊池衍射花样中的菊池线变换为hough空间（r，）中的点取向分析基本原理晶体取向的表示方法米勒指数：欧拉角：取向矩阵：轴角对：四元数法：反映晶体转动过程中取向变化的取向矩阵取向分析基本原理晶体转动对应的欧拉角晶体坐标系取向分析基本原

4、理样品坐标系的选择晶体坐标系a1，a2，a3样品坐标系RD，TD，ND样品坐标系与晶体坐标系的相对关系晶体取向分析基本原理晶体坐标系和样品坐标系的变换设和是同一方向分别用晶体坐标系和样品坐标系表示的指数，则它们可用下式变换其中M为取向变换矩阵，与欧拉角1，，2有关12欧拉角取向分析基本原理欧拉角欧拉角（1，，2）绕OZ轴旋转1角；绕OX1轴旋转角，OZ轴到达OZ轴位置；绕OZ轴旋转2角，（XYZ）坐标系与（XYZ）坐标系重合取向分析基本原理欧拉角的形成x1y1y21122背散射电子衍射取向成像（OIM

5、）原理背散射电子衍射取向成像（OIM）原理取向成像（OIM）示意图背散射电子衍射取向成像（OIM）原理取向成像图配色多晶硅的取向图（a）采集10min；（b）采集1h数据采集时间对取向成像图质量的影响a）b）背散射电子衍射取向成像（OIM）原理NiSNiS斜方NixSy六角NixSy立方NixSy正交NixSy单斜背散射电子衍射相分析原理AcquireEBSPPhaseIdentified!Index…背散射电子衍射相分析原理