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时间:2020-01-13
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1、课题十五:典型全控器件MOSFET和IGBT1一、电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的MOS型(MetalOxideSemiconductorFET),简称电力MOSFET(PowerMOSFET)结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(StaticInductionTransistor——SIT)2电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。1.电力MOSFET的结构和工作
2、原理一、电力场效应晶体管3电力MOSFET的结构导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别。采用多元集成结构,不同的生产厂家采用了不同设计。图15-1电力MOSFET的结构和电气图形符号一、电力场效应晶体管4小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(VerticalMOSFET)。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。电力MOSFET的结构一、电力场效应晶体管5是单极型晶体管(只有一种载流子参与导电)。优点——用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单,需要的驱动功率小。开关速度快,工作频率高(最高)。热稳定性优于GT
3、R。缺点——电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。电力MOSFET的特点一、电力场效应晶体管6电力场效应晶体管7截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。导电:在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。图15-2电力MOSFET的结构和电气图形符号电力MOSFET的工作原理一、电力场效应晶体管8(1)静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时,ID
4、与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs。010203050402468a)10203050400b)1020305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A图15-3电力MOSFET的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性2.电力MOSFET的基本特性一、电力场效应晶体管9截止区(对应于GTR的截止区)饱和区(对应于GTR的放大区)非饱和区(对应GTR的饱和区)工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电
5、压时器件导通。通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。MOSFET的漏极伏安特性:一、电力场效应晶体管10不存在少子储存效应,关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件,静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电,仍需一定的驱动功率。开关频率越高,所需要的驱动功率越大。MOSFET的开关速度一、电力场效应晶体管113.电力MOSFET的主要参数——电力MOSFET电压定额(1)漏极电压UDS(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅
6、源电压UGS——UGS>20V将导致绝缘层击穿。除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有:(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS一、电力场效应晶体管12二、绝缘栅双极晶体管两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件绝缘栅双极晶体管(Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT)GTR和MOSFET复合,结合二者的优点。1986年投入市场,是中小功率电力电子设备的主导器件。继续提高电压和电流容量,以期再取代GTO的地位。GTR和GTO的特点——双极型,电流驱动,有电导调
7、制效应,通流能力很强,开关速度较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。MOSFET的优点——单极型,电压驱动,开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单。131.IGBT的结构和工作原理三端器件:栅极G、集电极C和发射极E图15-5IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号二、绝缘栅双极晶体管14简化等效电路表明,IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构,一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。RN为晶体管基区内的调制电阻。图15-5IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)
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