SOI技术相关

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1、Skyworks推出WLAN用全新SOI单刀三掷开关时间：2011-12-29    点击次数：43SkyworksSolutions推出首款针对无线网络(WLAN)所开发的分离式绝缘硅(SOI)单刀三掷开关。新的SKY13345-368LF和SKY13385-460LF具备低插入损耗特性，适用于2.4至2.5GHz频率范围内的WLAN(802.11b/g)和蓝牙(Bluetooth)应用。新的SOI开关可兼容于在1.8V逻辑电压下保持线性度的芯片组──这是在低电流要求的条件下，内嵌WLAN连接功能的智能手机应

2、用最普遍的一种架构。此开关采用紧凑的四方扁平无接脚(QFN)2x2mm封装RDA宣布世界上第一个采用IBMSOI工艺制造的SP9T单芯片RFSWITCH时间：2011-08-22    点击次数：247中国上海,2011年8月22日.锐迪科微电子(Nasdaq:RDA),宣布成功研发了世界上第一个集成了译码器,低通滤波器单芯片SP9T天线开关,采用IBM的SOI工艺.该SOI工艺相比与GaAS,提供了优秀的性能并显著降低了成本.“对于天线开关,SOI是一个非常好的工艺,采用这种先进的工艺,我们能够研发出世界上第

3、一个集成逻辑译码,低通滤波的单芯片天线开关,并拥有ESD保护.“锐迪科微电子的CEO,VincentTai说.“因为该SOI工艺是基于传统的VLSI工艺,我们能够以传统GaAS集成电路一部份的成本,以较高成品率生产出先进的天线开关.另外,高度集成的SOI芯片,简化了封装,进一步提高了成本优势.“IBM已经优化了RFSOI技术,以满足市场上大部份需求的3G,4G性能以及集成要求.”IBM专业制造总监ReginaDarmoni说.”RDA’sRF开关产品,演示了IBMRFSOI如何能够在高需求的手机市场中实现有前景

4、的竞争优势.”“SOI为先进的RF应用提供了引人注目的优势.IBM的RFSOI技术能力,代表了在无线集成产品的简化及生产效率上的一个重大的提高.”SOI行业联盟的执行总监,HoracioMendez说道.”RF开关和滤波器的整合,展示了一个重要的成本降低,同时提供了RF市场所要求的性能.”RDASW91是一个SP9T的天线开关,2.5×2.5mm,16pinLGA封装.该低成本开关有6个GSM通道口以及3个UMTS通道口,适合用于快速增长的多频带3G手机.除了高集成度,该器件同时提供了优秀的线性谐波性能以及低插

5、入损耗.RDASW91预计将引领用SOI制造的开关新浪潮.SOIMOSFET和GaAspHEMT在射頻开关应用上的比较时间：2011-07-06    点击次数：165由于基频CMOS芯片的应用越来越广泛，而总功耗持续降低，基频控制器的控制电压逐渐从+2.8V降至+1.8V。在某些领域，可能会继续降至+1.3V。鉴于这类电压逐渐接近GaAspHEMT的阈值电压，必须使用集成的CMOS电荷泵才能满足不断提升的开关线性度和电源要求，这引发了人们对GaAspHEMT技术与SOIMOSFET技术相对优势的比较（表1）。

6、在低掷数开关中，GaAspHEMT技术提供良好的功率和线性度性能，同时占用较少的芯片面积，这意味着封装尺寸更小。而对于SOIMOSFET开关，由于集成正负电压发生器的要求以及较低的功率容量和较高的FET损耗，因此通常会占用较大的芯片面积。但是，由于能够在低于+1.8V的电压下工作，并且能够灵活地在芯片上集成CMOS逻辑电路，使得SOIMOSFET开关在低控制电压和高掷数开关应用中具有一定的优势。TowerJazz为agilentdeADS2011软件扩展SiGe,SOI以及RFCMOS的设计套件时间：2011-

7、10-06    点击次数：134TowerJazz宣布其0.18um工艺上提供高速SiGe,SOI以及RFCMOS设计套件.该套件是用在Agilent的ADS2011EDA软件上,主要应用于移动电话的前端模块器件如SOI天线开关,SiGePA以及用于光纤网络,汽车,雷达和60GHzWiFi上的高频产品.以及其他高速接口,比如哪些支持Light-Peak和Thunderbolt标准的.该套件通过为客户在RFCMOS,SiGeMMIC以及PA设计方案上提供一套精确的有效工作环境,帮助他们的新产品快速上市.Towe

8、rJazz和Agilent将于曼彻斯特举行的欧洲微波展上演示了这套新的设计套件.原文参考:http://www.semiconductor-today.com/news_items/2011/OCT/TOWERJAZZ_061011.html射频元件的SOI时间：2007-05-22    点击次数：100当射频芯片建立在传统的硅基板制时，硅组件的半导体属性会导致基板中射频讯号的衰减。