P-Si与A-Si的区别

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1、P-Si与A-Si的区别什么是低温多晶硅：    低温多晶硅LTPS是LowTemperaturePloySilicon的缩写，一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600度，尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光照射”（laseranneal）要求更是如此。与a-Si相比，LTPS的电子移动速度要比a-Si快100倍，这个特点可以解释两个问题：首先，每个LTPSPANEL都比a-SiPANEL反应速度快；其次，LTPSPANEL外观尺寸都比a-SiPANEL小。下面是LTPS与a-Si相比所持有的显著优点：    1、把驱动IC的外围电路集成到面

2、板基板上的可行性更强；    2、反应速度更快，外观尺寸更小，联结和组件更少；    3、面板系统设计更简单；    4、面板的稳定性更强；    5、解析度更高，    激光照射：    p-Si与a-Si的显著区别是LTPSTFT在制造过程中应用了激光照射。LTPS制造过程中在a-Si层上进行了激光照射以使a-Si结晶。由于封装过程中要在基板上完成多晶硅的转化，LTPS必须利用激光的能量把非结晶硅转化成多晶硅，这个过程叫做激光照射。        电子移动性：    a-SiTFT的电子移动速率低于1cm2/V.sec，同时驱动IC需要较高的运算速率来驱动

3、电路。这就是为什么a-SiTFT不易将驱动IC集成到基板上。相比之下，p-Si电子的移动速率可以达到100cm2/V.sec，同时也更容易将驱动IC集成到基板上。结果是，首先由于将驱动IC、PCB和联结器集成到基板上而降低了生产成本，其次使产品重量更轻、厚度更薄。        解析度：    由于p-SiTFT比传统的a-Si小，所以解析度可以更高。    稳定性：     p-SiTFT的驱动IC合成在玻璃基板上有两点好处：首先，与玻璃基板相连接的连接器数量减少，模块的制造成本降低；其次，模块的稳定性将得以戏剧性的升高。