浅谈功率mosfet及其应用

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时间:2019-11-15

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1、浅谈功率MOSFET及英应用"MOSFET"是英文metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor的缩写,意即"金属氧化物半导体场效应晶体管”。小信号MOSFET主要用于模拟电路的信号放大和阻抗变换,但也可应用于开关或斩波。功率MOSFET除少数应用于音频功率放大器,工作于线性范围,人多数用作开关和駅动器,工作丁•开关状态,耐压从儿十伏到上千伏,工作电流可达几安培到儿十安培。功率MOSFET都是增强型MOSFET,它具有优良的开关特性。近年來,功率MOSFET广泛地应用于电源、

2、计算机及外设(软、换盘驱动器、打印机、扫描器等)、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。木-文介绍英分类、工作原理、主要特点、主耍参数及特性、基木工作电路及应用电路举例。功率MOSFET的分类功率MOSFET可分成两类:P沟道及N沟道,其电路符号如图1所示。请记住:屮间箭头向里的是N沟道而箭头向外的是P沟道。它有三个极:漏极(D)o源极(S)及栅极(G)o有一些功率MOS-FET内部在漏源极Z间并接了一个二极管或肖特基二极管,这是在接电感负载时,防止反电势损坏MOSFETo如图2所示。这两类MOSFET的工

3、作原理和同,仅电源电压控制电压的极性和反。P型硅本体电阻④工作原理N沟道増强型功率MOSFETF的内部基本结构如图3所示。其中源极(S)和漏极(D)与P型衬底材料之间用扩散杂质而形成一个N区,这样各形成一个PN结。栅极(G)是做在SiO?绝缘层上,与P型硅衬底、源极及漏极都是绝缘的。当漏极及源极Z间加了一个Vds电压(而栅极及源极之间未加电压),则漏极与源极通道是山两个背靠背的PN结和P型硅本体电阻串联组成,如图4所示。由于其PN结反向电流极小,在常温25°C下,其最人值为lpA(这电流称为Idss),相当于漏极源极关断

4、。当栅极与P型硅衬底之间加Vgs电压,则可把栅极及P型硅衬底看作电容器的极板,而SiO2是绝缘介质,它们Z间形成一个电容器。当加上Vgs后在SiO?和栅极的界面上感应出正电荷,而SiO2与P型硅衬底界面上感应出负电荷,如图5所示。在P型硅衬底上感应的负电荷与P型硅衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反,所以这称为“反型层",这使半导体漏极源极Z间的类型曲P型转变成N型而形成允许漏极源极的N区连接而形成导电沟道。如杲这时在漏源极之间加上了Vds电压,它由漏极经N区、导电沟道及源极的N区形成通路电阻较小,可产牛较小的电流Id。

5、P型硅但是如果Vgs电压较低的话,感应出来的少量负电荷被P型衬底屮的空穴所俘获,因而形不成导电沟道,仍然没冇电流。当Vgs增加到某一临界值后,在电场的作用下产生足够的负电荷把两个分离的N区沟通,这个电压称为开启电压或称栅极阈值电压(用符号Vgse)表示),常用Id=10

6、iA(有的用Id=250pA)时的Vgs作为VGS(Th),如图6所示。当VGS>VGS(T11),而且V°s>VGs-VGs(「h),lD^(VGS-VGS(Th))2正比。所以不大的Vgs就可以控制很大的Id,足以使它饱和导通。VGs>VGS(Th)

7、J§才冇电流;Vgs越大,在P型衬底感应的负电荷越多,形成的导电沟道越深,漏源Z间的电流也越大。这就是增强型N沟道MOSFET的T作原理。P沟道增强型MOSFET的工作原理与N沟道的相同,不再赘述。VGS=0,ID=0的MOSFET称为增强型。主要特点MOSFET是由电压控制型器件,输入栅极电压Vg控制着漏极电流Id,即一定条件下,漏极电流Id取决于栅极电压V"增强型功率MOSFET具冇下述主要特点:输人阻抗极高,最髙可达10】5Q;噪声低;没有少数载流子存储效应,因而作为开关时不会因存储效应而引起开关时间的延迟,开关速

8、度高;没何偏置残余电压,在作斩波器时可提高斩波电路的性能;可用作双向开关电路;在Vgs=0时,VDS=0,在导通时英导通电阻很小(目前可做到几个毫欧).损耗小,是较理想的开关;由于损耗小,可在小尺寸封装时输出较大的开关电流,而无需加散热片。主要参数及特性主要参数有极限参数及电特性。极限参数冇:最大漏源电压Vds、最大栅源电压Vgs、最大漏极电流Id,最人功耗Pd。在使用中不能超过极限值,否则会损坏器件。主要电特性有:开启电压Vgs(th);栅极电压为零时的Idss电流;在一定的Vgs条件下的导通电阻Rl)S(ON)。例如

9、,型号为Si9400DY的P沟道增强型MOSFET的极限参数:%为一20V;VGS为±20V;连续漏极电流为±2.5A;Pd为2.5W;工作结温为一55°C〜+150°C。其电特性有:Vescno最小值为一IV(ID=250piA);Idss最大值为一2gA;在VGS=~10V时,RDs(on)=0.2Q,在VGS=

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