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时间：2019-11-05
《硅集成电路-快速热处理技术》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第五章：快速热处理技术RapidThermalProcessing5.1.器件工艺对热退火的要求减小再分布目的：注入离子的电激活氧化层缺陷和界面态的消除消除缺陷和应力金属化（金属硅化反应）玻璃介质（磷、硼硅玻璃）的熔流覆盖层的固化表面的平坦化上述的热处理，多数属于后工序。因而，低温、短时退火被要求。为什么？5.２.快速热退火（ＲＴＡ）机理系统：光照加热要求：升降温速度快，升降温均匀温度测量:热电偶：原理与缺点塞贝克效应：原理，特点？光谱：原理声波：原理，工艺特点：*再分布小*低污染*可以实现快速多温段退火6.4.塑性应变问题：Fig6.106.5.杂
2、质的激活短时间获得激活动能，但是无时间建立新的热平衡。*超固溶度*瞬时增强扩散Readingmaterial6.6.介质加工和硅化物的形成*介质/半导体界面态的退火*超薄介质的形成*金属硅化物的再加工
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