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时间：2019-10-28
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1、现代电子材料与元器件光电工程学院微电子教学部冯世娟fengsj@cqupt.edu.cn3.半导体材料与应用半导体材料的性质霍尔效应压阻效应磁阻效应半导体材料的分类非晶态半导体(与晶体的区别)半导体材料的制备分子束外延(原理、适用范围，优缺点)4.化合物半导体基础载流子的瞬态输运速度过冲(产生条件)二维电子气形成及特点半导体异质结平衡时的能带图（及特点）半导体超晶格分类5.化合物半导体器件GaAsMESFET与硅基MOSFET相比的性能优势HBT注入比HEMT基本结构和工作原理5.化合物半导体器件半导体光源二能级体系的三种基本光学过程实现激光振荡的三个必要条件半导体光电探测器主要类
2、型(特别是APD的基本结构和工作原理)6.光电子材料与器件光纤损耗(三个低损耗窗口的形成原因)色散(种类&影响)制备(拉丝)激光材料发光机制(三能级或四能级激光的不同)液晶显示材料与器件液晶的分类TN液晶显示的原理发展趋势7.电介质材料极化机制极化的本质和机制、分类复数介电常数与频率、温度的关系压电性质压电效应和电致伸缩效应铁电性质钛酸钡的晶体结构对极化的影响8.磁电子学材料与器件磁性磁性的分类(原则，每一类的特点)几种交换作用磁畴磁畴(形成，影响因素)磁化曲线（磁化机制）磁滞回线（特征参数）磁性材料与应用矩磁材料——磁心存储器(工作原理)磁光写入读出(工作原理)题型填空（1×28
3、=28分）简答（6×8=48分）分析（8×3=24分）分值分布半导体材料与应用：10分化合物半导体基础：10分化合物半导体器件：20分光电子材料与器件：20分电介质材料：20分磁电子学材料与器件：20分
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