电子材料与电子元器件期末复习

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------电子材料与电子元器件期末复习填空10*3=30简答题6*6=36问答题4*8.5=34第二章晶体材料的结构1.晶体的主要特征自范性均匀性对称性各向异性解理性2.基本概念（1）点阵结构?把基元抽象成一个几何质点，由这些质点的规则几何排列，构成质点在三维空间的点阵结构，称为晶体的点阵结构。（2）晶体结构?点阵结构+基元=晶体

2、结构（晶体结构可以看成是由点阵结构加上基元构成的）（3）晶胞?如果晶格中的一个平行四边形（二维），沿其相邻的两个边不断重复运动，就可得到整个晶体的结构，这个平行四边形就叫单位晶胞。?三维空间中，能反映晶体对称性的最小结构单元。（4）晶胞常数（晶格常数）?决定晶胞形状和大小的主要参数。也叫晶格常数；?包括：晶胞的边长a、b、c表示三个轴向上的基矢；α、β、γ分别表示基矢间的夹角。（5）晶面（指数）——————————————————————————————————————--------------------

3、----------------------------------------------------------------------------晶面是至少三个不同线的布拉维格点构成的平面。（l1l2l3）（6）晶向（指数）?布拉维格子中的所有格点，可以看成是分别在一系列互相平行的直线上，这一族平行直线可以把一个平面内所有格点包括。并且，通过任一格点可以有无穷多条直线，每条直线代表一个特定方向，称为晶向。?一组表示晶向的数。[l1l2l3]（7）密堆积?把晶体中的原子或离子看作是具有一定刚度的等径球，则

4、这些球在三维空间中可以按照不同的方式堆积，其中能够最大限度占据空间的堆积方式叫密堆积。?这种堆积方式应该是：使任一球体尽可能与周围同样的球体接触的数目最多。（8）配位数?和某一圆球相切的相邻空间圆球数，叫配位数。3.原子结合方式离子键、共价键、金属键、范德瓦耳斯力4.晶体常见的微观缺陷：点、线、面1第三章半导体材料与应用1.基本概念?（1）能级：核外各层电子间的能量差是量子化的，电子在原子中运动的量子态——————————————————————————————————————----------------

5、--------------------------------------------------------------------------------（2）能带：?多能级间的间隔足够小，可近似看作是连成一条具有一定宽度的能带。（3）禁带宽度：?导带底与价带顶之差。（4）N型（施主杂质）：?以施主杂质掺杂为主的半导体，其导电性主要由施主激发到导带底的电子决定，这种主要依靠电子导电的半导体叫N型半导体。（5）P型（受主杂质）：?以受主杂质掺杂为主的半导体，其导电性主要由受主激发到价带顶的空穴决定，这种主

6、要依靠空穴导电的半导体叫P型半导体。（6）费米能级:由杂质能级或满带所激发的电子，使导带产生电子或使价带产生空穴，这些电子或空穴致使半导体导电，统称为载流子。导带中电子的分布遵循费米分布的一般规律。（7）非平衡载流子：在外界作用下，有可能使电子浓度和空穴浓度偏离平衡值。例如，在光照下，由价带激发电子至导带而产生电子空穴对，使电子密度增加Δn，空穴密度增加Δp，多余的载流子称为非平衡载流子。（8）霍尔效应：——————————————————————————————————————---------------

7、---------------------------------------------------------------------------------当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。2.半导体性质：（1）光电效应在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。（2）压阻效应压阻效应，是指当半导体受到应力作用时，由于应力引起能带的变化，能谷的能量移动，使其电

8、阻率发生变化的现象。（3）磁阻效应?半导体材料受到与电流方向垂直的外加磁场作用时，不但具2有霍尔效应，还会出现电流密度下降和电阻率增大的现象，这种外加磁场使电阻变化的现象称为磁阻效应。3.常见元素半导体、化合物半导体及性质?1元素半导体材料-Si、Ge、Se、Diamond1.是目前应用于半导体工业的主要材料；?储量丰富，禁带较宽（1.1eV），使用温度较高；?间接跃迁半导体；?高、中阻硅-整流二极