数字电路 第三章 逻辑门电路

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1、第三章门电路§3.6逻辑门电路使用中的几个问题§3.1概述§3.2二极管和BJT的开关特性§3.3分立元件门§3.4TTL集成门§3.5MOS集成门门电路中晶体管均工作在开关状态。先介绍晶体管和场效应管的开关特性。再介绍两类门电路。注意:各种门电路的工作原理,只要求一般掌握;而各种门电路的外部特性和应用是要求重点。当代门电路(所有数字电路)均已集成化。3.1概述1.定义:门电路是用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的电子电路。门电路分立元件门电路集成门电路双极型集成门(TTL)MOS集成门NMOSP

2、MOSCMOS2.分类:按制造工艺分类:集成电路IC(IntegratedCircuits)的分类Ⅰ.按集成度分类(1)小规模IC——SSI(含1~10门)(2)中规模IC——MSI(含10~100门)(3)大规模IC——LSI(含100~1000门)(4)超大规模IC——VLSI(含1000门以上)Ⅱ.按制造工艺分类(1)双极型IC——两种载流子(空穴和自由电子)参与导电(2)单极型IC——只有一种载流子(空穴或自由电子)导电3.2晶体管的开关特性3.2.1晶体二极管的开关特性1.PN结的形成及

3、PN结两边的少数载流子浓度分布PN半导体本征半导体——载流子(空穴与自由电子)掺杂半导体P型半导体——多子(空穴),少子(自由电子)N型半导体——多子(自由电子),少子(空穴)+-DPN结(位垒)(1)PN结的形成(2)PN结两边的少子浓度分布①无外加偏置电压——Ui=0(零偏)+-DPNJP扩JN扩JP漂JN漂动态平衡IDPN结P区N区NP0PN0②外加正向偏置电压——Ui=+V(正偏)+-DPNID+-U扩散区PN结P区N区NP0PN0NP(X)PN(X)x特点:ID>0——D导通UID

4、扩散区③外加反向偏置电压——Ui=-V(反偏)+-DPNID-+U特点:ID=-IS(反向漏电流)0——D截至U位垒PN结P区N区NP0PN0NP(X)PN(X)x小结:二极管特性——正向导通,反向截止——单向导电——开关2.二极管的稳态开关特性(1)理想开关特性RKUKIK+-++-VIK闭合时:RK=0,IK=VI/R,UK=0K断开时:RK=∞,IK=0,UK=VIRDUDID+-++-VID正偏时:RD=0,ID=VI/R,UD=0——相当开关闭合(2)二极管的理想开关特性R

5、DUDID+-+-+VID反偏时:RD=∞,ID=0,UD=VI——相当开关断开(3)实际二极管的开关特性(伏安特性)ID/mAUD/V0VD锗硅VZIS特性:①UD0(反偏和零偏)时D截止;②UDVD(开启电压)时D导通,D导通时UD=VD——钳位作用;VD(锗)=0.1~0.3V;VD(硅)=0.5~0.7V(0.7V)3.二极管的瞬态开关特性(1)理想特性RDUDID+-++-VIVIt0V+V-UDt0IDt0trtf(2)实际特性(3)开关时间①正向导通时间ton=tr②反向截止时间

6、tOFF=tf因素:PN结电容——位垒电容和扩散电容3.2.2晶体三极管的开关特性1.晶体三极管的稳态开关特性ICVCE0VCC/RCVCC放大区饱和区截止区(1)截止区——条件:VBE0;特点:IB=IC=IE≈0,VO=VCC+-VIVO+-RBRCICIBIEBCETVCC+12V(2)放大区——条件:VBEVD(0.7V),VBC<0;特点:IC=×IB,VO=VCC-IC×RCVIVORCVCC(3)饱和区——条件:VBEVD(0.7V),VBC>0;特点:IBIBS=(

7、VCC-VCES)/RC,VO=VCES=0.3V工作区可靠条件工程近似特点等效电路截止区VBE0VBC<0VBE<0.7VVBC<0IB=IC=IE≈0VO=VCC放大区VBE>0VBC<0VBE0.7VVBC<0IC=×IBVO=VCC-IC×RC饱和区VBE0.7VVBC>0IBIBS=(VCC-VCES)/RCIC=ICSVO=VCES=0.3VBCEBCE+VBE-+VCES-0.7V0.3VBCE+VBE-IC=×IB0.7V【例3.1】分析如图所示的三极管开关电路,已

8、知RC=1k,VCC=12V,β=60。在下列条件下计算IB,IC及VO,并确定三极管T的工作状态。①当Vi=-3V时;②当Vi=+3V,RB=20k时;③当Vi=+3V,RB=10k时。+-VIVO+-RBRCICIBIEBCETVCC+12V2.三极管开关电路的分析方法①进行假设;②分析估算;③比较检查;④写出结果解:①当Vi=-3V时T截止,IB≈IC≈IE≈0,VO=VCC=12V;+-VIVO+-RBRCICIBIEBCETVCC+12V②当Vi=+3V,RB=20k

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