op类电路设计

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1、OP电路设计一.简介:WemakethearticlcforthemoreunderstandofTheInvertingAmplifier.Somcactionofimportantdetailscnsurethecircuitstablity.TheScimetimediscretecomponentpeirtcomparingtheintegratedcomponenthavesomeadvantageanddisadvantage.二、设计目的：基本OP类放大电路的设计，实现自己做出0P放大器。了解0P放大的实现，通过分离元件和0P的混

2、合使用达到电路的最好性能。三、电路设计说明：♦1$OP类/.I*C4-ITi/QISD13.1器件的性能简介晶体管的选择：由于电源电压是+(-)15V,故所有晶体管只要选择集电极-射极间的最大额定值Vcco与集电极一基极间的最大额定值Vcco在30V以上的器件即可。从性能方面考虑，对于初级的Q1和Q2,只要使用噪声小的晶体管，整体电路的噪声就能够减少。对于第二极的共射极放大电路的Q9,只要使用集电极输出电容Cab小的晶体管，就能改变频率特性。但是，在进行IC化后的0P放大器内部，不打使用性能好的晶体管，这是由于制作IC工艺问题。因此这里选择

3、NPN型三极管8050,PNP型三极管选择8550o8050特性:ELECTRICALCHARACTERISTICSCTamb=25X?unlessotherwisespecified)ParamatorSymbolTest8nditbnsMINTYPMAXUNITCollector-basebreakdownvoltagelc=100PAtlE=040VColl&ctor-emitterbreakdownvoltageV(BR)ceolc=0.1mA.Ia=025VEmittor-basobreakdownvoltageV(BR)fflOU=

4、100PA-l-=05VCollectorcut-offcurrentGoVgMOVtlE=00.1MACollectorcut-offcurrentl=EOVcs=20Vtla=00.1UAEmittercut-offcurrentImoV5a=5V>lc=00.1PADCcurrentgain(note)-Vc£=1V,l-=50mAB5300三;2:VC£=1Vtlc=500mA50CollectopomittGrsaturationvoltageV“(sat)lc=500mA:l3=50mA0.6VBssg・omittQrsaturat

5、ionvoltageVBE(sat)lc=500mA?l3=50mA1.2VBas©•合mittarvoltagevaels=100mA■1.4VTransitionfrequencyfTVce=6V,lc=20mAf=30MHz150MHz8550特性:MaximumVoltageVCBOCollectortoBaseVoltage30VVCEOCollectorEmitterVoltage(Note3)25VVEBOEmitterto8a$eVoltage6VlCCollectorcurreni(Continuous)1.5AELECTRI

6、CALCHARACTERISTICS(25°CFreeAirTemp«nitur«otherwtotnofd)SYMBOLCHARACTERISTICSMIN.TYP.MAX.UNITSTESTCONDITIONSHFElDCcurrentgain(Note4)85300Ic■100mAVce»1VHFE2DCcurrentgain40lc«800mAVce■1VVCE(SAT)CollectorSaturationVoltage(Note4)0.20.5VIc»800mAlb-80mAVBE(SAT)Base-SaturationVoltag

7、e(Note4)0.921.2VIc-80QmAlb■80mALVceoColectortoEmitterbreakdownVoltage(Note3&4)25VIc=10mAlb°0BVcboCollectortoBasebreakdownVoltage30VIc=100uAle-0BVeboEmittertoBasebreakdownVoltage6Vle■IOOuAIc-0IcboCollectorcutoffcurrent0,1uAVcb=20Vle=0hfeHighfrequencycurrentgain1.0Ic2950mAVce-

8、10Vf■100MHzCcbCollectortoBasecapacitance40pFVcb"10VIch0f=1MHz▲•3.2差动方大部分的设计