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《基于IR2110的H桥可逆PWM驱动电路应用》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第24卷第4期常州大学学报(自然科学版)Vol.24No.42012年12月JournalofChangzhouUniversity(NaturalScienceEdition)Dec.2012文章编号:2095-0411(2012)04-0068-05基于IR2110的H桥可逆PWM驱动电路应用*张小鸣,卢方民(常州大学信息科学与工程学院,江苏常州213164)摘要:自举式半桥驱动器芯片IR2110应用成功的关键是合理配置自举电路参数,并对IR2110的应用特点有充分的了解。详细介绍了IR2110
2、自举电路的工作原理和应用特点,自举电容等参数的估算方法、以及IR2110的相关保护电路。基于TMS320LF2407A的他励直流电机调速系统实验表明:应用IR2110组成H桥可逆PWM驱动电路,成功实现了他励直流电机软启动与减速制动,具有隔离接口简单、运行稳定可靠等显著特点。还讨论了IR2110自举电路的不足,对采用IR2210的直流电机功率驱动电路设计有很好的参考价值。关键词:功率驱动器;自举电路;MOSFET;IR2110中图分类号:TN492文献标识码:AApplicationofH-Brid
3、geReversiblePWMPowerDriverBasedonIR2110ZHANGXiao-ming,LUFang-min(SchoolofInformationScienceandEngineering,ChangzhouUniversity,Changzhou213164,China)Abstract:Reasonableconfigurationofbootstrapcircuitparametersandfullyunderstandingofapplicationcharacteri
4、sticsofIR2110(bootstraphalf-bridgedriverchip)arekeytoapplyingIR2110successfully.Therefore,theworkingprincipleandapplicationcharacteristicsofbootstrapcircuitofIR2110,themethodofestimatingbootstrapcapacitorandotherparameters,andthecorrelativeprotectionci
5、rcuitofIR2110aredescribedindetail.TheexperimentsofseparatelyexciteddcmotorspeedcontrolsystembasedonTMS320LF2407Ashowthat:H-bridgereversiblePWMpowerdriverbasedonIR2110hassuccessfullyrealizedsoftstartanddeceleratingbrakingofseparatelyexciteddcmotor,withs
6、impleisolationinterface,stableandreliableoperation,andothernotablefeatures.ThedeficiencyofbootstrapcircuitofIR2110isalsodiscussed.IthasaverygoodreferencevaluetothedesignofdcmotorpowerdrivecircuitbasedonIR2110.Keywords:powerdriver;bootstrapcircuit;MOSFE
7、T;IR2110目前,可逆H全桥PWM直流电机控制系统动电路,2片IR2110就能构成H全桥功率MOS-主要采用功率MOSFET、IGBT管作为开关管,FET管可逆PWM他励直流控制系统主控回路。而开关管的驱动电路通常采用集成驱动电路,将微IR2110芯片高端悬浮通道采用外部自举电容产生机的PWM控制信号转换成同步高压驱动信号。悬浮电压源V,与低端通道共用一个外接驱动电bsIR2110芯片是一种H半桥(独立一桥臂双通道)、源Vcc,兼有光耦隔离和电磁隔离的优点,配置所栅极驱动、高压、高速单片式专用功
8、率器件集成驱有高压引脚在芯片一侧、独立的逻辑地和功率地,*收稿日期:2012-10-11作者简介:张小鸣(1958-),男,安徽合肥人,博士,教授,研究方向为电机智能控制。张小鸣等.基于IR2110的H桥可逆PWM驱动电路应用·69·[1]使芯片结构紧固可靠。栅极门电压在10-20V范≥25V超过1.0μs。因此,必须对IR2110以及围,高端悬浮通道用于驱动MOSFET的高压端电MOSFET管施加一定的保护电路,以往的文献介[7-8]压最高可达500V。IR2110
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