电池片电性能参数及影响因素介绍

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1、电性能参数及影响因素介绍摘要:　　一、电参数介绍　　1、各个参数之间的关系　　A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。　　B.Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功...　　一、电参数介绍 　　1、各个参数之间的关系　　A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。　　B.Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流Impp　　C.Rs为在光强为1000W/M2和500W

2、/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况　　D.Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率　　E.Irev1为电压为-10V时的反向电流　　F.Irev2为电压为-12V时的反向电流　　G.Rs和Rsh决定FF　　H.Rsh和Irev1、Irev2有对应的关系　　I.计算公式：　　J.Ncell=Pmpp/S（硅片面积）　　K.Pmpp=Umpp*Impp=Uoc*Isc*FF　　L.FF=（Umpp*Impp）/（Uoc*Isc）二、转换效率的影响因素三、测试外部参数影响 　　正常测试温度为25

3、±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低　　正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低　　四、串阻Rs组成　　测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：　　1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体）　　2.正面电极金属栅线体电阻　　3.正面扩散层电阻　　4.背面电极金属层电阻　　5.正背面金属半导体接触电阻　　6.外部因素影响，如探针和片子的接触等　　烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。　　可以这样考虑，上述1.

4、2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；　　5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值；　　6属于外部测试因素，也会导致Rs变化　　五、Rs影响因素　六、并阻Rsh组成　　A.测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定　　B.边缘漏电主要由以下几个方面决定：　　C.①边缘刻蚀不彻底　　D.②硅片边缘污染　　E.③边缘过刻　　F.　　G.体内漏电主要几个方面决定　　H.①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿　　I.②由于铝粉的沾污导致的烧穿　　J.③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电　　K.④工艺过程中的

5、其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等　　七、Rsh影响因素　　　八、Uoc影响因素　　九、Isc影响因素　　十、网印区工艺过程常见问题处理　　A.一、翘曲：　　B.1.硅片太薄--控制原始硅片厚度　　C.2.印刷铝浆太厚--控制铝浆重量　　D.3.烧结温度过高--调整烧结炉4、5、6、7区温度　　E.4.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等　　F.二、铝包：　　G.1.烧结温度太高--调整烧结炉4、5、6、7区温度　　H.2.印刷铝浆太薄--印刷铝浆重量加重　　I.3.使用前浆料搅拌不充分--搅拌时

6、间必须达到规定时间　　J.4.铝浆印刷后烘干时间不够--增加烘干时间或提高烘干温度　　K.5.烧结排风太小--增大烧结炉排风　　L.6.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等　　M.三、虚印：　　N.1.印刷压力太小--增大印刷压力　　O.2.印刷板间距太大--减小板间距　　P.3.印刷刮刀条不平--更换刮刀条　　Q.4.工作台板不平，磨损严重--更换工作台板　　R.5.网印机导轨不平--重新调整导轨　　A.四、粗线：　　B.1.网版使用次数太多，张力不够--更换网版　　C.2.网版参数不合格--核对该批网版参数，更换网版　　

7、D.3.浆料太稀，浆料搅拌时间太长--严格执行浆料搅拌时间规定　　E.4.网印机参数不合适--调整网印机参数