电池片各工序影响因素及异常情况

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1、电池片各工序影响因素及异常情况一、一次清洗影响因素：1、温度：温度过高，首先就是IPA（异丙醇）不好控制，温度一高，IPA的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了PN结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。2、时间：金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以精确的调节时间。3、IPA：1）、协助氢气的释放。

2、2）、减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯NaOH溶液在高温下对原子排列比较稀疏的100晶面和比较致密的111晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融，IPA明显减弱NaOH的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于1。可控程度：根据首次配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。4、NaOH：形成金字塔绒面。NaOH浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受NaOH浓度影响，碱溶液的腐蚀性随NaOH浓度变化比较显著，浓度高的NaOH溶液与硅反映的速度

3、加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。NaOH浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与IPA类似，控制精度不高。5、Na2SiO3SI和NaOH反应生产的Na2SiO3和加入的Na2SiO3能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧烈,变的平缓。Na2SiO3使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小一点Na2SiO3多的时候要及时的排掉，Na2SiO3导热性差，会影响反应,溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。可控程度：很难控制。4#酸洗HCL去除硅片表面的金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与多种金属离子形

4、成可溶与水的络合物。6#酸洗HF去除硅片表面氧化层，SiO2+6HF=H2[siF6]+2H2O。控制点：1、减薄量：定义：硅片制绒前后的前后重量差。控制范围单晶125，硅片厚度在200±25微米以上，减薄量在0.5±0.2g；硅片厚度在200±25微米以上，减薄量在0.4±0.2g。单晶156，首篮减薄量在0.7±0.2g；以后减薄量在0.6±0.2g。2、绒面：判断标准：成核密度高，大小适当，均匀。控制范围：单晶：金字塔尺寸3~10um。3、外观：无缺口，斑点，裂纹，切割线，划痕，凹坑，有无白斑，赃污。异常处理：问题原因解决方法硅片表面大部分发白，发白区域未出绒面1.N

5、aOH含量偏低，不能充分进行反应，或者IPA含量过高，抑止反应进行。1.首先判断原因。2.增加NaOH的浓度，减少IPA的用量。3.如果不能调节，重新配制溶液。2.如果表现后续返工可以处理发白区域，则可以断定NaOH浓度不够。采用稀碱超声。3.表面清洁度不好。延长超声时间。4.溶液状态不够均匀。1.对溶液进行充分搅拌，补加溶液必须先溶解，加入之后必须进行溶液充分搅拌，使用烧杯或竿进行“8”字形状搅拌溶液。2.查看电源控制柜相应的加热开关是否都在正常工作。硅片表面有白斑，部分白斑区域出现在不同硅片同一位置，白斑区域明显表现为被覆盖没有出绒现象硅片表面的有机物等污染物粘附于硅片

6、表面，阻止硅片制绒。只使用柠檬酸进行超声，中间对超声槽溶液进行更换。硅片过腐，表现为绒面角锥体过大，减薄量过大碱浓度过大或反应温度过大，导致在<100>面上反应速率远大于  <111>面上反应速率。测试温度，确定是否为80度；稀释溶液浓度，同时保证溶液的均匀性；降低下次碱配制的浓度。单晶硅片四边都有白边仍有白边部份硅片反应不够充分，这部份对中间无白边部份偏厚。换言之，整个硅片化学反应不够均匀，中间部份反应放热不易，导致反应激烈。保证溶液均匀，控制硅片中心速度，增加缓冲剂。硅酸钠溶液可视为缓冲剂。硅片两侧出现“花蓝印”的白边由于溶液中硅酸钠的浓度过大，粘稠度增加，使得承片盒与

7、硅片接触的地方得不到充分反应。视花蓝印的严重程度和数量。通常需要对溶液进行部分排放，并进行补对。鼓泡此时一定要开启。雨点氢气泡粘附或氢气泡移动缓慢形成。雨点处的绒面相对正常区域主要表现为制绒不够。1、及早发现，并进行IPA补加，通常会去掉或消弱痕迹。2、即使形成雨点状不必继续返工，镀完减反射膜，可以盖住。但这并不是成为做出雨点而不加以改善的理由。制绒时槽内硅片区域性发白溶液不均匀或硅片本身原因导致。长时间制绒未见效果，对相应区域进行少许NaOH补充，撒在相应槽区域即可；下次制绒之前需要对溶液搅拌均匀。制绒时硅片漂浮