存储器原理与接口(II)

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1、内存在计算机系统中的地位计算机通过执行程序控制其运行程序存储在内存中第3章存储器原理与接口存储器基础知识存储器接口技术微型机系统中存储器的体系结构一、存储器基础知识存储器的分类选择存储器件的考虑因素（性能指标）随机存取存储器RAM只读存储器ROM.存储器的分类按用途和特点分类按存储器存取方式分类按构成存储器的器件和存储介质分类按用途和特点分类外部存储器（辅助存储器，外存，ExternalMemory）用来存放不经常使用的程序和数据，CPU不能直接访问它。属计算机的外部设备,是为弥补内存容量的不足而配置的，容量大，成本低，所存

2、储信息既可以修改也可以长期保存，但存取速度慢。需要配置专门的驱动设备才能完成对它的访问，如硬盘、软盘驱动器等。缓冲存储器（缓存，CacheMemory）位于主存与CPU之间，其存取速度非常快，但存储容量更小，可用来解决存取速度与存储容量之间的矛盾，提高整个系统的运行速度。内部存储器（主存储器，内存，MainMemory）用来存放计算机正在执行的或经常使用的程序和数据。CPU可以直接对它进行访问。一般是由半导体存储器构成，通常装在主板上。存取速度快，但容量有限，其大小受地址总线位数的限制。按用途和特点分类按存储器存取方式分类按

3、存放信息原理不同随机存取存储器RAM(RandomAccessMemory)只读存储器ROM(Read-OnlyMemory)又称读写存储器，指能够通过指令随机地、个别地对其中各个单元进行读/写操作的一类存储器。在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器。静态RAM动态RAM掩膜ROM（MROM）可编程ROM（PROM）可擦除编程ROM（EPROM）可电擦除可编程ROM（E2PROM）闪烁存储器Flash按工艺不同只读存储器ROM掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改;PROM：允许一次编程

4、，此后不可更改;EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程;EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写;FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除。读写存储器RAM组成单元速度集成度应用SRAM触发器快低小容量系统DRAM极间电容慢高大容量系统NVRAM带微型电池慢低小容量非易失RAM的分类SRAM（StaticRAM，静态随机存储器）速度快、容量低、功耗大、价格高DRAM（DynamicRAM，动态RAM）容量高、功耗小、价

5、格低按构成存储器的器件和存储介质分类半导体存储器磁表面存储器光电存储器选择存储器件的考虑因素（性能指标）存储容量存取速度功耗可靠性价格随机存取存储器RAMSRAM（StaticRAM，静态随机存储器）速度快、容量低、功耗大、价格高DRAM（DynamicRAM，动态RAM）容量高、功耗小、价格低常见的典型SRAM芯片有Intel的“61”系列和“62”系列：例如常用的有6116、6216、6164、6264、62256等。该系列芯片的容量为XK×8位，例如6116的容量为2K×8位，它的地址线有11根，数据线有8根，控制线有

6、3条，片选信号CS、输出允许信号OE和读写控制信号WE。SRAM芯片6264存储容量为8K×828个引脚：13根地址线A12～A08根数据线D7～D0片选CS1*、CS2读写WE*、OE*功能+5VWE*CS2A8A9A11OE*A10CS1*D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615只读存储器ROM掩膜ROM（MROM）可编程ROM（PROM）可擦除编程ROM（EPROM）可电擦除可编程ROM

7、（E2PROM）闪烁存储器Flash常见的典型EPROM芯片有Intel的“27”系列：例如常用的有2716、2732、2764、27256等。该系列芯片的容量为XK×8位，例如2732的容量为4K×8位，它的地址线有12根，数据线有8根，控制线有3条，片选信号CS、输出允许信号OE。EPROM芯片2764存储容量为8K×828个引脚：13根地址线A12～A08根数据线D7～D0片选CE*编程PGM*读写OE*编程电压VPP功能VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccPGM*NCA8A9A11OE

8、*A10CE*D7D6D5D4D3123456789101112131428272625242322212019181716153.2存储器与CPU的连接这是本章的重点内容SRAM、EPROM与CPU的连接译码方法同样适合I/O端口存储芯片与8086CPU的连接存储芯片的数据线存储芯片的地