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1、主要内容研究背景及意义1氧化物TFT的不稳定性2下一步计划-实验方案3致谢4研究背景及意义薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)在有源矩阵驱动显示器件中发挥了重要作用，一般在平板显示里用作开关器件和驱动器件。有待改进的方面：提高色彩饱和度，提高分辨率，降低反应时间，提高长期稳定性。TFT的稳定性：光照会造成阈值电压随偏压应力（BiasStress）变化加快，这会造成液晶面板显示混乱，迁移率也会有所变化，影响分辨率。长期偏压应力使得器件的阈值容易发生漂移，TFT阈值漂移会直接引起像素发光亮度的变化，影响整体显示质量。非晶硅TFT氧化物TFT多晶硅TFT研
2、究背景及意义优点：制备工艺简单，容易大面积制作，漏电流小缺点：迁移率较低，一般在0.1~1cm2／(v·s)，不能适应显示器件高速，高亮度的要求，对光敏感优点：具有较高的电子迁移率30~100cm2／(v·s)，缺点：工艺复杂，难以大面积制备薄膜晶体管中半导体沟道层的性质对器件的性能，制作工艺有重要的影响优点：低工艺温度，高的迁移率，对可见光透明，可以在室温大面积制备优质薄膜，可以制备于柔性衬底上，比较好的稳定性氧化物TFT不稳定性氧化物TFT的不稳定性1.沟道材料内的缺陷态2.栅绝缘层内的或绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱温度，光照和偏压下的TFT的阈值电压偏移造成不稳定的
3、两种机理-沟道材料内的缺陷态，栅绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱这些缺陷与制备工艺（退火温度，氧偏压等）密切相关还有一些专门减少缺陷的工艺，譬如O2离子处理界面，改善接触等氧化物TFT的偏压不稳定性偏压不稳定性包括长期栅压偏置应力不稳定性和漏电压应力不稳定性使得器件的阈值容易发生漂移，迁移率有所下降。栅偏压不稳定性R.B.M.Cross,APL,89,263513(2006),rf磁控溅射制备ZnOTFT在Vgs=-30V-80V黑暗环境下测试了10000秒[1]R.B.M.Cross,APL,89,263513(2006)氧化物TFT的偏压不稳定性PLD制备I
4、GZOTFT的偏压稳定性A,40mTorr大气压，200°退火B,25mTorr大气压，200°退火[2]A.Suresh,APL,92,033502(2008)氧化物TFT的偏压不稳定性RF磁控溅射沉积ZnO-SiO2TFT的偏压不稳定性[6]R.B.M.Cross,IEEE,55,1109(2008)氧化物TFT的光照不稳定性光电效应在光的照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应：被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应：在光
5、的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。[3]P.Görrn,APL,91,193504(2007)PA-PLD制备的ZTOTFT用波长为425nm，能量为250uw/cm2LED光照射氧化物TFT的光照不稳定性[4]Sang-HeeK.Park,Adv.Mater,21,678(2009)用ALD在200°沉积的ZnOTFT(Vd=15.5V),在波长为364nm的光照，由于其能量超过了氧化锌的禁带宽度，在沟道层与绝缘层界面捕获了光生载流子导致了比较大的关电流和迟滞出现。氧化物TFT的光照不稳定性[5]Jae-HeonShin,ETRIJournal,31,6
6、2,[2009]PEALD沉积的ZnOTFT同时在光照和栅电压偏置的条件下的稳定性退火温度氧偏压沉积时间稳定性的影响因素-制备工艺衬底温度激光能量沉积厚度沟道材料内的缺陷态，栅绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱制备工艺和影响RF-磁控溅射IGZOTFT，不同氧偏压，不同退火温度的阈值电压变化[7]HaiQ.Chiang，JournalofNon-CrystallineSolids，354，2826(2008)制备工艺和影响上述工艺在不同RF能量，不同退火温度条件下阈值电压的变化，还有TFT稳定性与最开始的阈值电压大小也有很大关系。[7]HaiQ.Chiang，Jo
7、urnalofNon-CrystallineSolids，354，2826(2008)制备工艺和影响PA-PLD工艺制备的ZTOTFT沉底温度,在不同光照波长和能量下对阈值电压的影响[3]P.Görrn,APL,91,193504(2007)制备工艺和影响LPCVD沉积绝缘层之后，用O2plasma处理-减小界面态密度，再用DC磁控溅射沉积沟道层，提高TFT稳定性。[8]Yeon-KeonMoon,APL,95,013507(2009)总结TFT的正偏压应力Vth就向正向偏移，负偏压应力就向负方向偏移，偏压应力施加的时间越长，
