《内部存储器》PPT课件(I)

《《内部存储器》PPT课件(I)》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、内部存储器陆海宁hnlu@sjtu.edu.cnS.J.T.U.存储器位元操作S.J.T.U.半导体存储器类型存储器类型种类可擦除性写机制易失性随机存储器(RAM)读-写存储器电，字节级电易失只读存储器(ROM)只读存储器不能掩模不易失可编程ROM(PROM)电可擦PROM(EPROM)读多次存储器紫外线，字节级电可擦PROM(EEPROM)电，字节级快闪存储器电，块级S.J.T.U.半导体存储器RAM(RandomAccessMemory)本节所述的所有半导体存储器都是随机存取的读/写易失性暂时存储DRAM/SRAMS.J.T.U.动态RAM用电容充电来存

2、储数据电容漏电需要周期充电(刷新)构造简单，成本较低速度较慢用于主存储器S.J.T.U.动态RAM位元S.J.T.U.静态RAM通过开关电路存储数据没有漏电现象不需要充电(刷新)更复杂的构造每位体积较大，成本更高速度较快用于CacheS.J.T.U.静态RAM位元S.J.T.U.SRAMvs.DRAM都是易失的需要持续供电动态结构简单，体积较小密度更高成本更低需要刷新适用于大容量存储器静态速度更快适用于CacheS.J.T.U.ROM的类型在制造过程中固化数据对于小批量的生产，成本较大可编程(一次)PROM使用特殊设备写入以读为主(ReadMostly)可擦

3、PROM(EPROM)通过紫外线擦除电可擦PROM(EEPROM)灵活擦写写入速度较慢快闪存储器(FlashMemory)写入速度较快以块为单位写入S.J.T.U.芯片组织16Mbit的芯片可以组织成1M*16bit16Mbit的芯片也可以组织成16M*1bit16Mbit的芯片还可以组织成2048*2048*4bits的阵列多条行地址和列地址S.J.T.U.典型的16MbitDRAM(4M*4)S.J.T.U.256KB存储器组织(位扩展)S.J.T.U.1MB存储器组织(字位扩展)S.J.T.U.纠错硬故障永久性的损坏软差错随机的，非破坏性的可使用纠错码

4、检测数据M位，校验码K位，实际存储M+K位S.J.T.U.纠错码功能S.J.T.U.文氏图(汉明码示例)S.J.T.U.纠错码和数据共同存放在存储器中故障字：两个输入的异或纠错码/故障字的长度对于纠错1位2^K-1>=M+KM：数据长度sK：纠错码长度S.J.T.U.带纠错码的字长增加情况单纠错单纠错/双检错数据位校验位增加的百分率校验位增加的百分率8450562.516531.25637.532618.75721.87564710.94812.512886.2597.0325693.52103.91S.J.T.U.故障字设计如果故障字全部是0，则表示没有检

5、测到错误如果故障字仅有1位是1，则表示某一位校验位出错，不需要纠正如果故障字有多位是1，则故障位的数值就表示出错数据位的位置，将这位取反纠正即可S.J.T.U.8位数据单纠错举例位的位置121110987654321位的编号110010111010100110000111011001010100001100100001数据位D8D7D6D5D4D3D2D1校验位C8C4C2C1S.J.T.U.校验位计算C1=D1⊕D2⊕D4⊕D5⊕D7C2=D1⊕D3⊕D4⊕D6⊕D7C4=D2⊕D3⊕D4⊕D8C8=D5⊕D6⊕D7⊕D8