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1、第28卷第4期硅酸盐学报Vol.28,No.42000年8月JOURNALOFTHECHINESECERAMICSOCIETYAugust,2000简 报Pb(Zr,Sn,Ti)O3中组份变化对反铁电-铁电相变的影响冯玉军,徐 卓,刘 鹏,杨同青,姚 熹(西安交通大学电子材料研究所,西安 710049)摘 要:探讨了掺铌Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷中,组份变化对晶Keywords:leadzirconatestannatetitanateanti-ferroelectricce2体结构及电场诱导反铁电-铁电相变
2、性能的影响.分析结果表明:ramics;compositionalvariation;crystalstructure;在Pb0.99Nb0.02[(Zr1-xSnx)1-yTiy]0.98O3反铁电陶瓷中,y增加,反antiferroelectric-ferroelectricphasetransformation铁电四方相晶轴比a/c减小,增加晶胞体积,诱导反铁电-铁电相变的开关电场强度降低.x增加,反铁电四方相的晶轴比a/c和晶胞Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电-铁电陶瓷,在电场、温度、压力体积减小,结果是扩大了可
3、以发生电场诱导反铁电-铁电相变的反等外场作用下可以发生反铁电-铁电相互转变,由于其丰富铁电相区.的相变类型以及相变性能所具有的应用前景,引起人们的关[1,2]注.Pb(Zr,Sn,Ti)O3是在Pb(Zr,Ti)O3基础上添加Sn关键词:锆锡钛酸铅反铁电陶瓷;组份变化;晶体结构;电场诱导反铁元素形成的多组元固溶体,通过组份配比可以调节相态和诱电-铁电相变[3]导反铁电-铁电转变的外场条件.掺加微量铌的PZST具中图分类号:TN304文献标识码:A文章编号:0454-5648(2000)04-0395-04有剩余极化强度高、
4、开关曲线陡直的特点,利用其铁电-铁电态互逆转变有可能在高密度储能及转换等方面获得应[4]EFFECTOFCOMPOSITIONALVARIATIONON用.本工作通过X射线衍射和电滞回线的测量结果,探讨Pb0.99Nb0.02[(Zr1-xSnx)1-yTiy]0.98O3反铁电陶瓷材料在反ANTIFERROELECTRIC-FERROELECTRICPH-铁电-铁电相界附近,组份变化对晶体结构及相应的电场诱ASETRANSFORMATIONINPb(Zr,Sn,Ti)O3导反铁电-铁电相变开关电场强度的影响.FengYu
5、jun,XuZhuo,LiuPeng,YangTongqing,YaoXi(ElectronicMaterialsResearchLaboratory,Xi′anJiaotongUni21 实验方法versity,Xi′an710049)1.1 样品制备[5]Abstract:Thepurposeofthisworkwastoevaluatetheeffectof参考Berlincourt建立的相图选择配方.材料制备采用compositionalvariationsonthecrystalstructureandcorre
6、spond2通常的氧化物陶瓷制备方法,氧化物原料为化学分析纯等ingtransitionfromantiferroelectrictoferroelectricphasebyelec2级,其中注意到PbO和Pb3O4原料对相界有显著影响,本实tricfieldinniobium-dopedPb(Zr,Sn,Ti)O3ceramics.There2验中采用Pb3O4原料.瓷体在PbZrO3气氛中经1300℃,2hsultsshowthatinPb0.99Nb0.02[(Zr1-xSnx)1-yTiy]0.98O3,ad2烧成
7、;860℃,2h退火处理.试样为<10mm×0.5mm圆片,ditionofyvoluereducesthecrystalaxisratioa/candincrease做完X射线衍射后的试样用掩膜方法印制直径<=6.00mmcrystalvolumeoftetragonalstructurewhichreducestheswitch2的烧银电极,做电滞回线测试.ingelectricfieldthatinducesthetransitionfromtetragonalanti21.2 表征方法ferroelectricto
8、rhombohedralferroelectricphase.Additionofx晶体结构和点阵参数的分析在Rigaku2000型X射线voluereducesthecrystalaxisratioa/candthevolumeofte2衍射仪上进行.测试条件是:CuKα靶,管电压45kV,管电流tr
