烧结NdFeB磁体矫顽力影响因素的研究概况

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1、维普资讯http://www.cqvip.com粉末冶金工业第14卷第4期VoI．14NO．42004年8月P0WDERMETALLURGYINDUYAug．2004烧结NdFeB磁体矫顽力影响因素的研究概况胡礼福，易健宏，吕豫湘，彭元东，叶途明(中南大学粉末冶金国家重点实验室，长沙410083)摘要：本文简要阐述了影响烧结NdFeB系永磁材料矫顽力大小的因素以及其理想微结构，并着重介绍了添加元素和新工艺提高其矫顽力的方法。关键词：NdFeB永磁体；显微结构；矫顽力；新工艺中图分类号：TM272文献标识码：A文章编号：1006—6543(2004)04—

2、0029—05FACTORSAFFECTINGCOERCIVITYOFSinteredNdFeBMagnet1II3Li-fu，YIJian-hong。LUYu-xiang，PENG~mdong。YETu-ming(StateKeyLaboratoryforPowd~Metallurgy，CentralSouthUniversity，Changsha410083，China)Abstract：ThefactorsaffectingthecoerciveforceofsinteredNdFeBmagnetandtheidealmi—crostructure

3、ofthemagnetwerepresented．ItisfoundthatthecoerciveforcecanbeimprovedbyaddingasmallamoutofMloyingelementandusingnewmanufacturingpracticeKeywords：NdFeBpermanentmagnet；microstructure；coercivity；newtechnology烧结钕铁硼(NdF出)磁体具有高的剩磁、矫顽力和最大磁能积，自问世以来，在国防、家用电器、电1影响烧结NdFeB系永磁体矫顽力子信息和汽车工业等领域获得了

4、广泛的应用，特别大小的结构因素及其理想模型是计算机、电子通讯等设备的普及和汽车用电机的高速发展，便其应用前景更加广阔。目前，烧结钕铁烧结NdFeB系永磁体的矫顽力除了受化学成硼磁体主要用于计算机硬盘驱动器音圈电机分的影响外，显微组织结构对其矫顽力起着重要的(vcM)、电子和数据存储领域使用的马达、汽车用作用。往往是成分相同的材料，由于显微组织结构电机、核磁共振成像仪(MRI)、扬声器等。不同，矫顽力可能有几倍的差别。其矫顽力的影响Nd2FeB化合物的饱和磁感应强度很高，约因素主要有：(1)Nd2Fe1B晶粒内有一定区域的K11．61T，理论磁能积达525

5、．4kJ·m～。现在烧结Nd—不均匀区的存在，导致磁体形成反磁化畴核的形核FeB的磁能积(BH)．n。为444kJ／m，已达到NdFeB场降低；(2)磁体形状不规则，形成不均匀的退磁场，材料理论磁能积的90％。Nd2Fel4B化合物的各向在磁体尖角处，或突出部位，退磁场较大，形成了较异性场，即矫顽力的理论极限值为5572kA·m_。，大的散磁场使区域的磁矩排列不均匀，甚至使其磁然而Nd—Fe-B系永磁合金实际矫顽力仅是其理论值矩反转，从而产生反磁化畴核；(3)边界相的缺乏或的1／3～1／30，因此，提高Nd—Fe-B系合金的矫顽力是分布不均，从而产生相邻

6、晶粒原子磁矩的交换耦还有潜力⋯。提高矫顽力不仅可提高其抗退磁能合，形成一个大晶粒集团，一个易磁化晶粒产生反磁力，还可提高其温度稳定性，降低磁通不可逆损失和化就会带动相邻晶粒的反磁化，因为晶粒边界没有矫顽力温度系数。畴壁位移的阻碍，从而使矫顽力降低；(4)晶粒大小收稿El期：2003—07—28作者简介：胡礼福(1976一)，男(汉)，贵州人，硕士，主要从事高矫顽力NdFeB系永磁体的研究。维普资讯http://www.cqvip.com·3O·粉末冶金工业第14卷分布不均，矫顽力的形核场因晶粒相互影响，使退磁均匀一致；(3)富Nd相薄层相接触的Nd2Fe

7、14B晶因子N增加，降低了磁体的矫顽力。晶粒越细，决粒表面层的成分及结构与晶粒内部均匀一致，不存定矫顽力大小的形核场越大。但由于稀土金属的活在外延层。另外要求Nd2Fe1B晶粒表面与富Nd性限制了晶粒的细小化，很细的粉末严重氧化甚至相层的界面平直；(4)平均晶粒尺寸以5～6m为引起着火，使磁性能降低或失效。因此，应选用低氧宜，晶粒尺寸越小，矫顽力越高；另外晶粒尺寸分布工艺和有效的保护设施，能使粒度尽可的小，且大小要窄；(5)要求晶粒形状近似球形，不应存在尖锐的均匀是提高矫顽力的最有效的途径；(5)磁体存在晶棱边与角以及凸出部位，因为这些位置往往存在很粒的

8、错取向_2J。大的散磁场，最大的散磁场可达4riM。，它会诱发反根据以上影响因素