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时间:2019-03-13
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1、单位代码10635学号112012315001159_一硕士学位论文参数对忆阻器的特性影响分析论文作者:郭羽泉指导教师:段书凯教授学科专业:信号与信息处理研究方向:通信电路与系统提交论文日期:2015年4月6日论文答辩日期:2015年6月4日学位授予单位《西南大学中国?重庆2015年4月EffectofdevicearametersoncharacteristicsofmemristorpM.S.Dissertation()SouthwestUniversitChoninC
2、hinay,gqg,Ma2015y,独创性声明学位论文题目:参数对忆阻器的特性影响分析本人提交的学位论文是在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。论文中引用他人已经发表或出版过的研宄成果,文中已加了特别标注。对本研宄及学位论文撰写曾做出贡献的老师、朋友、同仁在文中作了明确说明并表示衷心感谢。学位论文作者:日期:>年G月【日农签字〖5学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解西南大学有关保留、使用学位论文的规定,允,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘许论文被查阅和借阅。本人授权西南大学
3、研究生院(筹)可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书,本论文:口不保密,口保密期限至年月止)。学位论文作者签名::<导师签名i拥f^f"?>2丨t签字日期:年6月:月1日I日签字日期5年目录m^IABSTRACTID第1章引言11.1忆阻器理论的提出121.最近几年忆阻器的发展及相关研宄成果112.3参数对忆阻器的影响思路143.论文研究的背景和意义41.5论文内容安排及结
4、构第2章惠普忆阻器52.1惠普忆阻器的数学模型52.2窗函数对忆阻器的特性影响72.2.15/OZfi尺窗函数82.2.2JOGLEKAR窗函数92.2.3简易窗函数92.3惠普忆阻器仿真分析11213.4小结第3章自旋忆阻器14314.1自旋忆阻器模型31.2自旋忆阻器的仿真分析53.3自旋忆阻器的SlMULINK仿真173.4小结18第4章外围激励对忆阻器特性的影响分析194压对惠普忆阻器的特性影响分析.1电194.1.1电压幅值对惠普忆阻器的特性影响分析194
5、1220..电压频率对惠普忆阻器的特性影响分析422.电压对自旋忆阻器的特性影响分析14.2.1电压幅值对自旋忆阻器的特性影响分析21422..电压频率对自旋忆阻器的特性影响分析224.3小结23第5章长度参数对忆阻器的特性影响24245.1长度参数对HP忆阻器模型的特性影响52长度参数26.对自旋忆阻器模型的特性影响15.3长度参数对HP忆阻器导电特性影响的实验仿真295.4长度参数对自旋忆阻器导电特性影响的实验仿真325.5小结35第6章横截面积参数对忆阻器的特性影响366.1横截面积参
6、数对HP忆阻器模型的特性影响366.2尺寸参数对自旋忆阻器模型的特性影响38461.3横截面积参数对惠普忆阻器导电特性影响的实验分析6.4尺寸参数对自旋忆阻器导电特性影响的实验仿真436.5小结45第7章总结与展望46主要工作7.1本文的467.2将来的工作46.考文M48致£53攻读硕士期间发表的论文542摘要参数对忆阻器的特性影晌分析学科专业:信号与信息处理专业研宄方向:通信电路与系统指导老师:段书凯作者:郭羽泉摘要随着科学技术旳迅猛发展,电子信息技术的更新换代也
7、变的越来越快。人们追求更高的集成度,更快的速度,更大的存t空间,正是这些需求大大促进了电子信息技术的向前发展。在电子信息技术的发展趋势下,过去7年间纳米级别的忆阻器的成功研制随即在科学界掀起了一股研究热潮。过去几年间,无数的科研工作者投身其中,关于忆阻器的理论研宄层出不穷,关于忆阻器的电子产品也在紧张的开发中。目前关于忆阻器的理论研究大部分主要集中在忆阻器的应用上,比如:基于t乙阻器的滤波器、基于忆阻器的控制器、基于忆阻器的神经网络等。。等这些已经取得的成绩将为未来忆阻器的发展打下坚实的基础目前,从学术一界对忆阻器研宄成果来看,关
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