硕士研究生入学测验考试材料科学基础试题

《硕士研究生入学测验考试材料科学基础试题》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、西北工业大学2009年硕士研究生入学考试试题试题名称：材料科学基础（B卷）试题编号：832矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖。说明：所有答题一律写在答题纸上第1页共3页聞創沟燴鐺險爱氇谴净。1.简答题（每题10分，共60分）1.在位错发生滑移时，请分析刃位错、螺位错和混合位错的位错线l与柏氏矢量b、外加切应力τ与柏氏矢量b、外加切应力τ与位错线l之间的夹角关系，及位错线运动方向。（请绘表格作答，答案务必写在答题册上）残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟。混合位错螺位错刃位错位错线运动方向τ与lτ与bb与l类型酽锕极額閉镇桧猪訣锥。2.什么

2、是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的条件是什么？3.置换扩散与间隙扩散的扩散系数有何不同？在扩散偶中，如果是间隙扩散，是否会发生柯肯达尔效应？为什么？彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑。4.在室温下对铁板（其熔点为1538℃）和锡板（其熔点为232℃），分别进行来回弯折，随着弯折的进行，各会发生什么现象？为什么？謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔。5.何为固溶强化？请简述其强化机制。6.请比较二元共晶转变与包晶转变的异同。二、作图计算题（每题10分，共40分）1.请比较FCC晶体中和两位错的畸变能哪个较大。2.面心立方晶体沿[0

3、01]方向拉伸，可能有几个滑移系开动？请写出各滑移系指数，并分别绘图示之。1.在Al单晶中，（111）面上有一位错，面上另一位错。若两位错发生反应，请绘出新位错，并判断其性质。4.请分别写出立方晶系中{110}和{100}晶面族包括的晶面。1)综合分析题（每题25分，共50分）1.请分析影响回复和再结晶的因素各有哪些，以及影响因素的异同，并请分析其原因。2335℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ 2.附图为Ti-Al二元合金相图：1）请分析并分别写出1285℃、1125℃和665℃三个恒温转变的类型和反应式，以及882℃时发生两相恒温

4、转变的类型和反应式。厦礴恳蹒骈時盡继價骚。2）请绘出w＝31%合金平衡结晶的冷却曲线，并注明各阶段的主要相变反应。1）请分析500℃时，w＝31%的合金平衡结晶的相组成物和组织组成物，并计算其质量分数。（注：1125℃时，waTi＝27%，wTi3Al＝26%，wTiAl＝35%；500℃时，wTi3Al＝23%，wTiAl＝35%）茕桢广鳓鯡选块网羈泪。2009年西北工业大学硕士研究生入学试题参考答案一、简答题（每题10分，共60分）1.在位错发生滑移时，请分析刃位错、螺位错和混合位错的位错线l与柏氏矢量b、外加切应力τ与柏氏

5、矢量b、外加切应力τ与位错线l之间的夹角关系，及位错线运动方向。（请绘表格作答，答案务必写在答题册上）鹅娅尽損鹌惨歷茏鴛賴。答：一定角度//法线一定角度////法线//⊥//法线⊥位错线运动方向τ与lτ与bb与l籟丛妈羥为贍偾蛏练淨。2.什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的条件是什么？答：溶质原子取代溶剂原子，并保持溶剂结构的合金相称为置换固溶体。影响因素有：1）原子尺寸；2）晶体结构；3）电负性；4）电子浓度两组元晶体结构相同是形成无限固溶体的必要条件。3.置换扩散与间隙扩散的扩散系数有何不同？

6、在扩散偶中，如果是间隙扩散，是否会发生柯肯达尔效应？为什么？預頌圣鉉儐歲龈讶骅籴。答：间隙扩散系数与空位浓度无关，而置换扩散系数与空位浓度有关（可用公式表示）。一般地，间隙扩散系数大于置换扩散系数。渗釤呛俨匀谔鱉调硯錦。不会发生。因为间隙扩散中考虑间隙原子定向流动，未考虑置换互溶式扩散。4.在室温下对铁板（其熔点为1538℃）和锡板（其熔点为232℃），分别进行来回弯折，随着弯折的进行，各会发生什么现象？为什么？铙誅卧泻噦圣骋贶頂廡。答：根据T再＝（0.35～0.45）Tm可知Fe在室温下加工为冷加工，Sn在室温下加工为热加工因

7、此随着弯曲的进行，铁板发生加工硬化，继续变形，导致铁板断裂Sn板属于热加工，产生动态再结晶，弯曲可不断进行下去5.何为固溶强化？请简述其强化机制。答：固溶强化就是溶质原子阻碍位错运动，从而使合金强度提高的现象。主要机制包括：1）柯氏气团，即溶质原子的弹性应力场阻碍位错运动；2）玲木气团，即溶质原子降低基体层错能，使位错分解为扩展位错，阻碍位错交滑移或攀移；3）电交互作用，即带电溶质原子与位错形成静电交互作用，阻碍位错运动。擁締凤袜备訊顎轮烂蔷。6.请比较二元共晶转变与包晶转变的异同。答：相同点：恒温、恒成分转变；相图上均为水平线

8、。不同点：共晶为分解型反应，包晶为合成型反应；共晶线全是固相线，包晶线只有部分是固相线；共晶三角在水平线上，包晶三角在水平线下。贓熱俣阃歲匱阊邺镓騷。二、作图计算题（每题10分，共40分）1.请比较FCC晶体中和两位错的畸变能哪个较大。答：故：b1的畸变能较小。