深PN结芯片的深沟槽腐蚀研究.pdf

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1、论文题目深PN结芯片的深沟槽腐蚀研究工程领域集成电路工程指导教师包生祥教授作者姓名邱志述班学号201050301012万方数据分类号密级注1UDC学位论文深PN结芯片的深沟槽腐蚀研究（题名和副题名）邱志述（作者姓名）指导教师姓名包生祥教授电子科技大学成都潘敏智高级工程师乐山无线电股份有限公司乐山（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请专业学位级别硕士专业学位类别工程硕士工程领域名称集成电路工程提交论文日期2012.04论文答辩日期2012.05学位授予单位和日期电子科技大学答辩委员会主席评阅人2012年

2、月日注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号万方数据独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。签名：日期：年月日关于论文使用授权的说明本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构

3、送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）签名：导师签名：日期：年月日万方数据摘要摘要目前用途广泛的中大功率交直流转换器件,均采用的是半导体硅整流器件,而在此类的整流器件中,从单向的0.5A到三相的200A整流,内部的整流芯片采用的均是玻璃钝化保护的深结扩散的深PN结芯片。本论文针对我司1200V左右的玻璃钝化保护芯片需求，对玻璃钝化保

4、护芯片制作工艺中的腐蚀工序，针对腐蚀机理进行了分析研究，分析出沟槽腐蚀后的造型会影响到芯片的反向电压，同时会影响到玻璃披覆厚度等主要原因。而腐蚀后的沟槽造型除与光刻胶附着、光刻版设计不同有关外，还与不同组分和配方的腐蚀液、以及腐蚀液的温度、流速、振荡等参数具有密切关系。+针对本公司采用P面腐蚀开沟的玻璃钝化保护制作工艺，研制出“鸟嘴”状的具有正角/负角缓变结构的深沟槽造型，用以缓解表面电场。但是这种兼容结构形成了过腐蚀的沟槽造型，称为“鸟嘴”。通常该位置，因其较为尖锐，玻璃钝化时玻璃厚度较薄，不容易达到

5、较好的保护，容易放电且芯片强度降低易受应力破坏。通过对该位置形成的分析，研究不同腐蚀配方和温度对其造型的影响规律，探索出一种适合即具有正角/负角缓变结构，没有尖锐到影响芯片电性能和可靠性+的造型，去除腐蚀配方和腐蚀工艺，彻底解决了P开沟，达到满足较高电压，较低破片率的，具有正角/负角缓变结构的深PN结芯片的深沟槽腐蚀。既保证了半导体封装质量，又降低了生产成本，从而提高了乐山无线电公司的产品竞争力。关键词：深PN结玻璃钝化保护芯片、正角/负角缓变结构、鸟嘴I万方数据ABSTRACTABSTRACTCurr

6、entlythehigh-powerAC/DCconvertersofwideapplicationsareallsilicon-semiconductorrectifiers.Intermsoftherectifiervariety,fromsingle-phase0.5Arectifierstothree-phase200Arectifiers,theirinnerrectificationchipsareallofdeep-diffusiondeepPNjunctionwithglass-pass

7、ivatedprotection.Thisthesisconductsananalysisandresearchontheerosionmechanismduringtheerosionprocessofglass-passivatedprotectionwafermanufacturinginviewofthespecificationrequirementof1200Vglass-passivatedprotectionwaferandconcludesthemainreasonswhythefor

8、mofchannelaftererosionwillhaveinfluenceonthereversevoltageofchipandalsoaffecttheglasscoveragethicknessandsoon.Thechannelformaftererosionisnotonlycloselyrelatedtotheclingingofphotoresistandthedesigndifferenceofglassmask,but