非晶硅薄膜在电子学领域的应用

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1、非晶硅薄膜在髓⋯薰年来,一薄膜已引起人们很大的兴趣。这不仅是因为非晶态的固体理论间题需要研究,更主要近。的是因为非晶硅材料具有诱人的应用前景一,乙,不一在七十年代以前人们普遍采用真空蒸发法和溅射一、“’详铁住店昆。法来制备非晶硅薄膜但当时制备的非晶硅薄膜的性质、、一。声热口,。,发不佳因而并不特别受人注意从七十年代中期开始黑。餐髻麟求了韶沙展了辉光放电分解沉积的非晶硅制备技术由这一技术所制备的非晶硅薄膜,具有十分引人注目的光学和电学性质。它和传统的非晶硅的差别在于材料中含有一定量。。的氢氢的引入大大地降低了材料中的缺陷态密度这一新材料的特点可归纳为在可见光波

2、段上光电灵敏性好有很强的光电导,和较大的光吸收系数。刀光电性质连续可控性不仅可通过掺杂改变导电,类型而且可通过控制沉积条件连续地调整材料的光电图一成像组件的放电特性。性质一,靶摄象管有较低的暗电流较高的光普能源消耗和材料消耗较少便于大面积和大规模。灵敏度响应覆盖整个可见光范围对彩色摄象很有意沉积,。义使用范围宽对高反差景物不产生晕光和烧伤仔材料的突破常常带来器件的崭新发展非晶硅膜的。,的温度下仍稳定工作上述突出的性质不仅展示了其作为优异的光电材料的一,用作静电复印光感受膜不但制备成本低较,前景而且也预示着其在电子学领域的诸多应用的可能易作到大面积的二维均匀性

3、,且膜质硬,抗磨性好‘,其光。一性本文对正在研制的器件和应用在电子光领域。应用作的介绍体效应器件生光另效应及应用电子枪靶尸了一膜具有极高的光电导和低的暗电导特性,因片此可用于光导成象器件,记录和贮存图象信息。门一代夕图是导电衬底上的一膜在不同光强照明下放一⋯,。电特性的实验结果弛豫时间的很大变化说明信息的记乳,心凡此介。。录有较高的灵敏度和较宽的动态范围由表征的信。息贮存时间可由阻挡层的引进而大大提高‘书尸口亡正在研制中的最主要的器件是靶摄象管动叮态光导成象器件见图和静电复印机静态光导成象器一件。图采用阻档接触的靶结构世界电子元器件压谱灵敏度也比通常材料高。

4、保持时间达秒。接受电位三‘,孟口万里九甘卜‘一。,。达,,见图所示剩余电位可忽略二加巍口、代、彭洲卜呵侧己公七日咨一,,季黑暇、一有料“一一一出飞之七二二二一川加脚柑泉幻波长朴姗电医汽一图。和其他光电材料的光谱灵敏度图一汗结构及其转移特性光致结构改变效应及应用局一强激光作用下低温沉积的的光学性质有很大力检测器件变化的效应也可能用于记录和贮存图象信息的器件,如一月光度计和曝光表也是利用光伏效应的一。这。,激光唱片和数据记录光感受膜种实际由结构变化引二极管器件其频谱要求光度计要求较宽的响应暴光起的效应,。表的响应要求和人眼相似可通过结构和掺杂的合理设也会在腐蚀速

5、率上得到反映可加以利用、。一。,效应及应用计而达到以火的一膜各局部的不同暴光,可由膜仁各处整流器件不同的暗电浮得到反映,而更强光源对膜的局部加热使一的十‘结构的二极管用作整流器件可有很。,’,’。该处分电率复肠的逆过程意味着信息的涂抹这可能在强的负载能力其正向电流达整流比高达秘密的通讯中起重要作用。这表明可由一得到大面积的廉价整流元件。以扎二极管器件飞显示器件乞源器件价二极管的较为有效的场致发光效应可能最终一。川能源转换的一太阳电池是最主要的一导致在平面电视中的应用实验表萌发光随结电二协长器件有两种类型面结电池和体结电池,四种基流亚线性变化发光光谱相同。实际

6、应用时还需改进其,,本结构‘一,和。能带结构,以使频谱峰值移向可见光波段并提高工作温一太阳电池的上要特点可归结为结构上的超度。,,薄型之制备过程的低能耗低温过程,收集过热电转换程的场依赖性。前一二极管的热电特性,其转换效率及其在能源二个特点决定了这种电池的低成本和。。。能源的快速回收囚此自是很有前途的地而能源器件转换和温度探测上的应用也值得关注场助载流户收集的特性决定’耗尽层的重要性。三极管和集成电路。一,价太阳电池已取得相的进展最高转换效率已已设计出多种三极管其中以结构最为成,。。,达川吩而积已做到川巨已见商业应用目前主要的熟图直流特性表明器件有很低的关断

7、电导在,,,。研究二方向为材料性能的改进包括寻求最佳沉积条件时导通电流超过,一,一,一,一、万,如二大面积分布的用作驱动液晶显示单元的引进打的合金的研究,一,,。寻以扩大阵列井结构设十的改进包括结构参数的最佳化和址开关实现大面积显示的平面电视已经。。。特殊卯构的研究,仁艺技术的改进沉积速率的提走匕商业化阶段图表示其结构世界电子元器件绝高新一技术下碑心的州匆卜匆一膜应川一于集成电路的可行性已得到实验证已在一些实验室制成。实—。以为从础的一薄膜集成倒相电路图,‘非目前的主要课题是提高电路的开关速度,改进丈流。门电路,双稳态多谐振荡器等逻辑电路及位移寄存器等特性也

8、口妞畜一卜一‘泪洲阴阴盯目引酬时偏光技术的新突破于欧

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