硅基多孔氧化铝模板非水电沉积cds纳米线的研究

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1、!第#期!!无机化学学报L-U2%&/,-2#"$$$年#月8^_,[:[ZY‘a,KSYb_,YacK,_88^[X_:]ad’()2/"$$$$"""""#""$研%究%简%报%%$硅基多孔氧化铝模板非水电沉积$%&纳米线的研究杨阳(陈健斌(陈慧兰!/(鲍希茂"V(南京大学化学系/配位化学国家重点实验室/南京"($$0%IV"南京大学物理系/固体微结构物理国家重点实验室/南京"($$0%I关键词’硅基多孔氧化铝模板纳米线光致发光分类号’!"#$%&’(&!")*%+)()*+纳米材料4包括尺寸为纳米量级的超细微粒5!实验部分线5薄膜5量子阱和超晶格等引起了人们广泛的重!"!合成方

2、法与步骤视4(5"6!其中5半导体纳米微粒和由其构成的纳米固体首先用电子束在D型低阻E($$F晶向的硅基底结构开辟了材料科学研究的新领域!硫化镉789:1作上蒸上一层)##@G厚度的铝膜700200HI!蒸镀条为一种重要的!&"族无机半导体材料5具有独特的件为J电子枪电流$.)K5电压($BL5真空度为".)M光电性质5在光电化学电池和多相光催化反应中都($NOD>5N(!然后将镀有铝膜生长速度为(;(.)@G6A有广泛应用!近年来5已有大量关于合成89:纳米结铝膜的硅片作为阳极5钼片作阴极5在"$P温度条构的文献报导4%;("<5所采用的方法如反胶束法5单分件下5浸入质量分数为()

3、Q硫酸中进行阳极氧化!子膜法5自组装法以及电化学沉积法等5其中非水电阳极氧化方式采用直流恒压5电压值设定为3$L!解与模板技术相结合的制备方法引起了人们高度样品的阳极氧化时间通过!&"电流时间曲线控制4(%?>@ABC等在上个世纪!"年代的初期提冲洗5以去除氧化铝孔中残留的酸性电解液!然后将出了非水电解制备无机半导体材料的方法以来4%<5已硅基多孔氧化铝作为阴极5石墨电极作为阳极5浸入有许多研究工作利用这种方法与模板合成方法相含OR6ST(:T(的二甲基亚砜VWX:Y1和($R6S898U"结合成功地制备出89

4、:纳米结构4’5*5((

5、!将沉积了89:的硅多孔氧化铝模板5采用非水电解法将89:沉积到硅基多孔氧化铝样品用$.(G-U6SN(,>Y^溶液室温下基氧化铝有序纳米孔内5从而获得在硅基上生长的溶解"$GC@/完全除去氧化铝模板/将释放出的产物89:纳米线结构!这样一种硅基89:纳米复合结构用超声波分散于去离子水中/通过][X观测其形貌具有较好的发光性质5有望作为纳米光源来使用!和尺寸!同时将另一样品用$2(G-U6SN(的,>Y^溶液在室温下溶解)GC@/部分除去氧化铝层/用!!!!!!!收稿日期!"#$%&$’&()!收修改稿日期!"$$%&($&$*!国家自然科学基金+,-."$$’($(’/)$"’"$

6、"01和博士学科点专项基金+,-2"####"*3#(1资助项目!"通讯联系人!#$%&’(!)(*)+,-,./0+1/0*,第一作者!杨阳"男"23岁"博士#研究方向!材料化学!<%%<无机化学学报第!"卷!"#$%&$’(!"型原子力显微镜)*+,-观察所得复合能在水溶液中进行电化学沉积=而必须运用非水电结构的表面形貌!.射线衍射/.012在345,6178化学沉积的方法!.19:6型.射线衍射仪/;<靶!!射线源=加速电压图G为沉积了;O3的硅基多孔氧化铝膜的>?@A-上测定!光致发光谱/BC-在+D<$E$,"F9G型荧.01图谱!图中的所有谱峰均可指认分别归属于光分析仪上

7、测量=所用激发波长为:HI#J!;O3和多孔氧化铝膜周围未反应的铝!归属后的各衍射峰位置表明在我们实验中生成的;O3晶体属!结果与讨论于六方晶系=其中G"为GPQPR处的最高强度衍射峰图K是经过度氧化从硅基上剥落的多孔氧化来源于/IIG-晶面!同时;O3的各衍射峰都出现了明铝膜的平面/"-和横断面/L-MN,照片!图K/"-中白色显的宽化=表明实验中所得到的;O3晶粒是比较小亮点区域对应于电子束透过的孔的部位!从图中可的!以看出=硅基多孔氧化铝孔基本呈圆形