[讲稿]集成电路设计基础作业2011

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1、集成电路设计基础一电子信息工程10课程作业1(第一周)第一章集成电路设计概述基础习题1-1按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？1-2什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。1-3多项目晶园(MPW,Multi-ProjectWafer)技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？1-4集成电路设计需要哪4个方面的知识？要疝：从皿上龜貝屮任逼三龜老战〃课程作业2(第二周)第二章集成电路材料、结构与理论习题1-1为什么硅(Si,Silicon)材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用？1-2不申化掾(Ga

2、As,Galliumarsenide)和磷化錮(InP,Indiumphosphide)材料各有哪些特点？1-3在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？在怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？2-4说出多晶硅(Polys订icon)在CMOS工艺中的作用？2-5列出你知道的异质半导体材料系统。2-6绝缘体上硅(SOI,SiliconONInsulator)材料是怎样形成的，有什么特点？2-7肖特基接触和欧姆接触各有什么特点？2-8简述双极型晶体管(BJT,Bipolar兀notionTransistor)和金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET,Metal1ic-0xide~Sem

3、iconductorField-EffectTransistor)的工作原理。要求：从M上龜目屮任逼“龜完战//集成电路设计基础一电子信息工程10课程作业3（第三周）第三章集成电路基本工艺习题1-1写出晶体外延的意义,列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。1-2写出掩模在IC制造过程中的作用，比较整版掩模和单片掩模的区别，列举三种掩模的制造方法。1-3写出光刻的作用,光刻有哪两种曝光方式？3-4X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点?3-5说出半导体工艺中掺杂的作用,举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。3-6列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。集成电路设计基础

4、一电子信息工程10课程作业4（第四周）第四章集成电路设计概述基础习题4-1Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式?3-2比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。3-3什么是MOS工艺的特征尺寸?1-4为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？1-5为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？1-6简述CMOS工艺的基本工艺流程。4-7常规N阱CMOS工艺需要几层掩模？每层掩模分别有什么作用?课程作业5（第五周）第五章M0S场效应管的特性习题1-1画出M0SFET的基本结构。1-2写岀M0SFET的基本电流方程。1-3什M0SFET的饱和电流取决于哪些参数

5、?3-4为什么M0SFET是平方率器件？3-5什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响3-6什么是M0S器件的体效应。5-7说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。5-8MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响?5-9MOSFET存在哪些二阶效应?分别是由于什么原因引起的?5-10说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。要疝：从皿上龜貝屮任逼“龜完战//课程作业6（第六周）第六章集成电路器件及SPICE模型习题6-1芯片电容有几种实现结构？6-2采用半导体材料实现电阻要注意哪此问题？6-3画出电阻的高频等效电路。6-4芯片电感有几种实现结构？6-5微波集成电

6、路设计中，场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压，试解释其作用。6-6微带线传播TEM波的条件是什么？6-7常在芯片上设计微带线时，如何考虑信号完整性问题？6-8列出共面波导的特点。集成电路设计基础一电子信息工程10课程作业7（第七周）第七章SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法习题7-1芯集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件？能进行何种性能分析？7-2写岀MOS的SPICE元件输入格式与模型输入格式。7-3用SPICE程序仿真出M0S管的输出特性曲线。7-4构思一个基本电路如一个放大器，画出电路图，编写SPICE输入文件，执行分析，观察结果。要求：从皿上龜貝屮假邊三龜老啟

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