集成电路设计基础作业2011

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1、集成电路设计基础—电子信息工程10课程作业1（第一周）第一章集成电路设计概述基础习题1-1按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？1-2什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。1-3多项目晶园（MPW，Multi-ProjectWafer）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？1-4集成电路设计需要哪4个方面的知识？要求：从以上题目中任选2题完成！！集成电路设计基础—电子信息工程10课程作业2（第二周）第二章集成电路材料、结构与理论习题2-1为什么硅（Si,Silicon

2、）材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用？2-2砷化镓（GaAs,Galliumarsenide）和磷化铟（InP,Indiumphosphide）材料各有哪些特点？2-3在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？在怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？2-4说出多晶硅(Polysilicon)在CMOS工艺中的作用？2-5列出你知道的异质半导体材料系统。2-6绝缘体上硅（SOI，SiliconONInsulator）材料是怎样形成的，有什么特点？2-7肖特基接触和欧姆接触各有什么特点？2-8简述双极型晶体管(BJT,BipolarJunctionTransis

3、tor)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metallic-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)的工作原理。要求：从以上题目中任选4题完成！！集成电路设计基础—电子信息工程10课程作业3（第三周）第三章集成电路基本工艺习题3-1写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。3-2写出掩模在IC制造过程中的作用，比较整版掩模和单片掩模的区别，列举三种掩模的制造方法。3-3写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？3-4X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？3-5说出半导体工艺

4、中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。3-6列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。要求：从以上题目中任选3题完成！！集成电路设计基础—电子信息工程10课程作业4（第四周）第四章集成电路设计概述基础习题4-1Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？4-2比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。4-3什么是MOS工艺的特征尺寸？4-4为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？4-5为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？4-6简述CMOS工艺的基本工艺流程。4-7常规N阱CMOS工艺需要几层掩模？每层掩模分别有

5、什么作用？要求：从以上题目中任选4题完成！！集成电路设计基础—电子信息工程10课程作业5（第五周）第五章MOS场效应管的特性习题5-1画出MOSFET的基本结构。5-2写出MOSFET的基本电流方程。5-3什MOSFET的饱和电流取决于哪些参数？5-4为什么MOSFET是平方率器件？5-5什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响5-6什么是MOS器件的体效应。5-7说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。5-8MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响？5-9MOSFET存在哪些二阶效应？分别是由于什么原因引起的？5-10说明MOSFET噪

6、声的来源、成因及减小的方法。要求：从以上题目中任选4题完成！！集成电路设计基础—电子信息工程10课程作业6（第六周）第六章集成电路器件及SPICE模型习题6-1芯片电容有几种实现结构？6-2采用半导体材料实现电阻要注意哪些问题？6-3画出电阻的高频等效电路。6-4芯片电感有几种实现结构？6-5微波集成电路设计中，场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压，试解释其作用。6-6微带线传播TEM波的条件是什么？6-7常在芯片上设计微带线时，如何考虑信号完整性问题？6-8列出共面波导的特点。要求：从以上题目中任选4题完成！！集成电路设计基础—电子信息工程10课程作

7、业7（第七周）第七章SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法习题7-1芯集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件？能进行何种性能分析？7-2写出MOS的SPICE元件输入格式与模型输入格式。7-3用SPICE程序仿真出MOS管的输出特性曲线。7-4构思一个基本电路如一个放大器，画出电路图，编写SPICE输入文件，执行分析，观察结果。要求：从以上题目中任选2题完成！！1／万－1／千地质测量质量要求表（吉林参考）11／万1／5千1／2千1／千1／万草测1／2千草测1234567一地质观测研究程度沉积岩1对地层划分到组或阶，如范围大应进一步二分或三分，确定其时代，测定

8、其厚度及产状2.对标志层