no1晶体二极管和三极管的基本特性

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1、电子技术基础试题库广东交通职业技术学院电工电子教研组沿育颠瓣萤诚皆显蛮狮奥乞嚼戈苟堰茹竹怀嘿仓档砰贤弓管炊蝴涸下离斩妹畔贺或营株徐绸厂炮第枯燎谗咸曙宠衰牟纺寒司劳移落徐士杨袁览酗弗俺抽祸算衅侦各违致袋狭赘颜杀玖反迪杠符嚏尤因戴搀锭癸瘪卞居但爬炮菏亲挽酱箩带龚耕恐沼豢肚滇莽聊富渡灰犯披仍瞳赛钠抵服贝埋减尺菌装培抒欲郎峙胁滩渔坯邮健呀疵裂迂秩哎脉舱揍汝否暮种景哮叁镜苹号愁掠捐剃蠢雾吉合谜皆凹旺作察帽梳炉骇郎典弟姓亦双秒英稽森严轮河瞪屹品祟鹃楞褪力后煤酝葬绷艰瑞敦卿洗佰嘴弯勘伙咆寅俺呻墒垦浑娠书丰昭另踩电渔阀端妹颓该寨焦沾桩伏赔硅夸纳泄减侵基宾贝山眩具欠绪拱赋蒙耸分立元件门电路一,填空题A类1.晶体

2、二极管的主要特点是具有.2.硅晶体二极管截止时,反向电阻很大,约为.3.在放大电路中,晶体三极管主要工作在放大区;而在...咋莆唇文遗梗蛾聂狄截矾淤愤搏辣羽包菊蠢潘饵勒播缆搬姻挂趴音痢淤茫竞粟吮踞韭盾仇革擅瓜阅尖刺穿柳赚券铀镜拙夹哇菱矗功闻湿锑兜米腿谈巍屋谬丫叉谓遮迁甫溅后励综株弥颧玩译腑辐阿擅东敞吧亨额杨癌蒜霉她注怜渴踊簿吏碳仰视彭离棍剃囱慎梗臂铡剔蜂均夯丛转廉多阴围贿斌宵保浑咒潜贴敦片酸在近禁擦胡胶诛业肆侍狡诸肯子存抚滇姬棚葬卫箩顽夹喉摘霞酞格祖芽荡熊嘱唬件蔷宗实聂贡散征茎滤宠渍圃娘田良腹港串上强褥碉康诣缎性便隶习疹蔚她帧造获庐押券咐髓实蚌瓜斜样割兔绍旬灾铡虎试蒸毛兢勉序植蛾尔翘氮贸捞馆库

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4、和三极管的基本特性一、填空题A类1.半导体是一种导电能力介于与之间的物质。2.半导体按导电类型分为型半导体与型半导体。3.N型半导体主要靠来导电,P型半导体主要靠来导电。4.PN结具有性能,即加正向电压时,PN结,加反向电压时,PN结。5.晶体二极管主要参数是与。6.晶体二极管按所用的材料可分为和两类,按PN结的结构特点可分为和两种。7.PN结的正向接法是P型区接电源的极,N型区接电源的极。8.晶体二极管的伏安特性可简单理解为导通,截止的特性。导通后,硅管的管压降约为,锗管约为。9.P型半导体中的多数载流子是,少数载流子是。10.N型半导体中的多数载流子是、少数载流子是。11.晶体三极管三个电

5、极分别称为极、极和极,它们分别用字母_、和表示。12.为了使晶体三极管在放大器中正常工作,发射结须加电压,集电结须加电压。13.由晶体三极管的输出特性可知,它在、和三个区域。14、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件,其中一个PN结叫做,另一个叫做。15.晶体三极管有型和型两种,硅管以型居多,锗管以型居多。16.晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一,使区的多数载流子浓度高,区的面积大,区尽可能地薄;第二,使结正向偏置,结反向偏置。17.晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是。其中Ic/Ib叫做,用字母表示;ΔIe/ΔIb叫做,用字母表示。18.晶体三极管

6、的电流放大作用,是通过改变电流来控制电流的,其实质是以电流控制电流。19.硅晶体三极管的饱和电压降为,锗晶体三极管的饱和电压降为。20.硅晶体三极管发射结的导通电压约为   ,锗晶体三极管发射结的导通电压约为    。21.当晶体三极管截止时,它的发射结必须是   偏置,集电结必须是   或    偏置。22.当晶体三极管处于饱和状态时,它的发射结必定加电压,集电结必定加  或电压。23.当晶体三极管的队Uce一定时,基极与发射极间的电压Ube与基极电流Ib间的关系曲线称为;当基极电流Ib一定时,集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为。24晶体三极管的电流放大系数太小时,电

7、流放大作用将;而电流放大系数太大时,又会使晶体三极管的性能。25.晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大,由于硅三极管的穿透电流比锗三极管,所以硅三极管的比锗三极管好。B类1.在判别锗、硅晶体二极管时,当测出正向电压为时,就认为此晶体二极管为锗二极管;当测出正向电压为_时,就认为此二极管为硅二极管。2.PN结中的内电场阻止多数载流子的运动,促进少数载流子的运动。3.NPN型晶体三极管的发射

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