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时间:2019-02-06
《dkdp晶体生长及其掺质改性研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、摘要DKDP晶体具有优良的电光和非线性光学性能,是高功率固体激光系统中重要的光学器件材料,广泛应用于激光变频、电光调制、参量振荡器和Q开关等高技术领域。随着这些技术应用范围的扩大和设备性能的提高,对DKDP晶体的质和量提出了新的要求,所以晶体的生长速度和质量是目前的研究热点。本文采用常温溶液降温法生长晶体,经过多次实验,得到了如下晶体生长工艺:pD值为3.8.4.2的1000ml生长溶液,在80"C下过热24小时,降温最高起始温度为45.6。C,降温速度为O2一1.0"C/day,平均生长速度约为2.5mm/day。同时对生长中出现的问题如:单斜相的干扰和缺陷等也
2、进行了具体的讨论。分析了影响晶体生长溶液稳定性的因素,研究过热温度和过热时间对溶液稳定性的影响。并在此基础上往生长溶液中加入不同浓度的K2SO。,进行晶体生长,并分析它们对生长溶液的稳定性以及晶体性能的影响。得出:溶液中加入少量的K2S04(≤1X10。t001%)能提高溶液的稳定性,并对晶体的消光比、半波电压以及透过率没有大的影响。用热分解法测量了几组晶体的氘含量,得出所生长的晶体都有较高的氘含量(>95%)。本文通过掺入Rb+和As(v)对DKDP晶体进行改性,并用X射线衍射仪和X射线荧光光谱分别对DKDP晶体进行了晶体结构分板以及晶体中的Rb+和As(v)元
3、素含量的测定。结果证明,Rb+和As(v)进入了DKDP晶体中,并且晶体中的掺质浓度与溶液中加入的掺质浓度基本呈线性关系。同时比较了不同掺质浓度晶体的透过率、激光损伤阈值、消光比的差别。发现掺Rb+晶体的透过率与纯的晶体相当,但掺Rb+并没有改善晶体的其它几项性能,并初步分析了造成这种现象的原因。总之,本文对DKDP晶体的生长条件以及性能进行了较系统的研究,得到了多项有意义的结论,但有些问题还有待进一步的深入研究。关键词DKDP晶体:溶液稳定性;掺质;晶体生长;性能ABSTRACTDuetoitsinterestingelectro—opticalandnonli
4、nearopticalproperties,DKDPcrystalisaveryimportantopticalcomponentmaterialofhighpowerlaser,andisappliedtolaserfrequencyconversion,electro—opticswitches,parameteroscillation,Q—switchesandSOon.Alongwiththeextendibilityoftheapplicationrangeandtheadvanceofthepropertyofequipmentforthesetech
5、nics,higherdemandisputforwardtothequalityandquantityofDKDPcrystal.Soitsopticalqualityandgro州hratehavebecomethehot-pointatpresent.GrowingDKDPcrystalinheavywatersolutionshasbeencarriedonbyslow-coolingmethod,Afterdoingagreatamountofexperiments,wehaveobtainedthegro、vthtechniquesasfollows:
6、thehighestinitiatingtemperatureis45.6"C,pDvalueofsolutionis3.8—4.2.thelowingrateoftemperatureis0.2—1.0。C/day,andaveragegrowthrateis2.5mm/day.Atthesametime,theinterferenceofmonoctinicphaseandsomedefectswhichmayOccuratthegrowingcrystalshavebeendiscussed.Onthebasisofstudyingtherelationsh
7、ipofoverheatingtemperature,overheatingtimeandsolutionstability,wehavebeenattemptedtoaddK2S04withdifferentconcentrationtOthegro叭hsolution,analyzedtheinfluenceofK2S04onthestabilityofthegrowthsystemanddrawnaconclusion--thesolutionstabilitywillbeenhancedwhenasmallamountofK2S04(≤l×102m01%)
8、isadd
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